Активный образец

Cтраница 3

На рис. VI 1.11 приведена зависимость выходной мощности от длины активного образца, построенная при условии, что для каждого значения / выбирается оптимальный коэффициент отражения. [31]

Эта же величина применима для числа центров на поверхностях каталитически активных образцов окиси алюминия, а поверхности образцов кремнезема являются по существу некислотными. Декатионированные молекулярные сита или молекулярные сита, подвергнутые обмену с многовалентными катионами, также, по-видимому, имеют кислотные поверхности, однако молекулярные сита с одновалентными катионами их не имеют. Поверхностная концентрация кислотных центров в молекулярных ситах представляет собой в основном поверхностную концентрацию их катионообменных центров. При сравнимых соотношениях Si02 и А1203 эти образцы содержат в 50 раз больше центров, чем декатионированный аморфный алюмосиликат. [32]

Изменение энергии усиливаемого импульса и инверсной населенности по длине образца при различных значениях входной энергии. р 0 03 слг1. [33]

Здесь же приведено распределение инверсной населенности А ( х) в активном образце после прохождения импульса. При малых энергиях импульса усиление происходит по экспоненциальному закону. [34]

Система накач. [35]

Излученная источником накачки световая энергия должна быть с минимальными потерями передана в активный образец. [36]

Зависимость пороговой мощности возбуждения кристалла CaWO4. Nd3 от температуры.| Зависимость мощности излучения кристалла CaWO4. Nd3 от температуры при Рн 1200 вт. [37]

При конструировании оптических генераторов на рубине часто приходится сталкиваться с трудностями крепления активного образца, которые заключаются в том, что в местах крепления кристалл экранируется от излучения накачки, в результате чего инверсная населенность там отсутствует, и происходит поглощение генерируемого излучения. Это приводит к увеличению порогового уровня возбуждения и уменьшению выходной энергии. [38]

Значительно большей эффективностью обладают системы, в которых используется фокусировка излучения на активном образце. [39]

Следовательно, изучение ИК-спектров образцов с адсорбированным пиридином определенно показывает, что каталитически активные образцы имеют протонные центры. Апротонные центры имеются как на исходной, так и на фторированной окиси алюминия и других образцах, причем соотношение между двумя типами кислотных центров с увеличением содержания фтора изменяется: для фторированной окиси алюминия заметно увеличивается плотность полосы 1547 см-1 ( протонные) и уменьшается плотность полосы 1454 см-1 ( апротонные); меньшие изменения наблюдаются для образцов гидроксофторидов и их смесей с фтористым алюминием. [40]

Различные меры предосторожности, как, например, насыщение поверхности стекла при сжигании активного образца ( глухой опыт) или нанесение на внутреннюю поверхность трубки покрытия из золота и платины, уменьшают влияние эффекта удержания на результаты, но не устраняют его полностью. Поэтому после каждого определения прибор тщательно промывают неактивным газом, что требует большой затраты времени. [42]

Таким образом, эффективность эллиптической системы зависит от поперечных размеров источника накачки, активного образца и отражателя. Кроме того, как легко видеть, она определяется также эксцентриситетом эллипса, поскольку уменьшение последнего улучшает фокусировку. [43]

Схема оптического генератора с внешними зеркалами. [44]

Выше предполагалось, что отражающие покрытия оптического резонатора нанесены непосредственно на торцевые поверхности активного образца. В реальных конструкциях оптических генераторов это условие выполняется не всегда. Так, например, часто используется резонатор, в котором зеркала располагаются на некотором расстоянии от активного образца, причем это расстояние сравнимо или даже значительно превосходит длину кристалла. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5