Нелегированный образец

Cтраница 1

Нелегированные образцы диарсенида кадмия имеют n - тип проводимости, а легирование галлием и германием приводит к дырочной проводимости. [1]

Обычно чистые нелегированные образцы ZnS обладают электронной проводимостью. Кристаллы сульфида цинка, легированные медью, обладают / 7-проводимостью. Для этих кристаллов холлов-ская подвижность дырок равна 5 см / в-сек ( при 700 К), а акцепторный уровень меди расположен на 1 2 эв выше края валентной зоны. Подвижность электронов в сульфиде цинка при комнатной температуре составляет 140 см2 / в-сек. [2]

Для исследования были использованы нелегированные образцы n - типа с плотностью носителей - 1016 - 1017 см-3, образцы, легированные цинком, с концентрацией дырок - 1018 см-3 и образцы сплава 0 7 InSb - 0 3 InAs, легированные теллуром от 2 7 10 - 5 до 2 0 10 - 3 вес. [3]

Моделирование провопили также на нелегированных образцах, осажденных при ТПо 100 С, спектр оптического поглощения которых имел [72] широкую полосу в области низких hv подобно спектрам легированных фосфором образцов. Однако оба эти случая сильно различаются, так как в последнем случае Е / - лежит почти в середине запрещенной зоны. [4]

По-видимому, его нельзя отнести непосредственно к марганцу, хотя в нелегированных образцах он обычно не обнаруживается и наблюдается при использовании марганца из различных источников. [5]

Мы видим, что для того чтобы величина Р уменьшилась в три раза по сравнению со значением в нелегированном образце, величина ( Асо) 2 должна увеличиться в три раза по сравнению с ( Аии) 2, где Дсо - значение Дю в нелегированном образце. [6]

Мы видим, что для того чтобы величина Р уменьшилась в три раза по сравнению со значением в нелегированном образце, величина ( А) 2 должна увеличиться в три раза по сравнению с ( Дюи) а, где Аоои - значение Дсо в нелегированном образце. [7]

Характерно, что для большинства примесей ( Zn, Hg, In, Bi, Se) энергия активации зависимости стт ( Т), равная 0 2 - 0 25 эВ, лежит в тех же пределах, что и в нелегированных образцах, полученных из различных плавок. Естественно предположить, что эти примеси либо электрически малоактивны из-за того, что создают глубокие акцепторные ( до-норные) центры, или же они вообще не входят в решетку, оставаясь в объеме кристалла, и по этой причине являются электрически пассивными. [8]

В Институте физики АН АзербССР селенид галлия исследовали особенно подробно, так как были получены большие, очень чистые монокристаллы этого соединения. Были использованы нелегированные образцы GaSe р-типа с низким удельным электросопротивлением 20 ом-см при комнатной температуре. [11]

Контур интегрирования С. [12]

С помощью (6.20) комплексные отражательная способность, показатель преломления и диэлектрическая функция могут быть получены из измерений отражения в широком диапазоне частот. Поскольку затруднительно измерять отражение в диапазоне от нуля до бесконечной частоты, возникает необходимость в экстраполяции как в области низких, так и в области высоких частот. При низких частотах в нелегированном образце отражение 72, может быть аппроксимировано константой. [13]

GaSb получают прямым синтезом из компонентов в откачанных кварцевых ампулах или в графитовой лодочке в атмосфере водорода. Монокристаллы получают по методу Чохраль-ского и направленной кристаллизацией также в атмосфере водорода. В смысле очистки зонная плавка мало эффективна, а потому ее применяют главным образом для гомогенизации нелегированных образцов, а также выравнивания концентраций легирующих примесей. [14]

Исследования электрических свойств фосфида-галлия показали, что после первого прохода через зону в слитках имеются области как Р -, так и п-тила проводимости. Однако после нескольких проходов слитка через зону происходит очистка GaP от примесей, главным образом от кремния, и материал приобретает проводимость р-типа. Следует отметить, что нелегированные образцы фосфида галлия не проявляют фото - и электролюминесценции в видимой области спектра. [15]

Страницы: 1 2