Тонкий образец

Cтраница 3

Для закрепления тонких образцов ва тисках имеется винтовой прижим. Для испытания изделий сложной формы предусмотрен столик с шаровым зажимом, позволяющий устанавливать испытуемый участок изделия в горизонтальной плоскости. [31]

Приспособление, разработанное DFL ( Deutsche Forschungsanstalt fur Luft-und Raumfahrt e. V., Braunschweig для испытания на сжатие тонких образцов из армированных пластиков. 1 - образец. 2 - направляющий штифт. [32]

При испытаниях очень тонких образцов трудно избежать смятия концов образцов. Для исключения этого явления концы образца иногда усиливают тонкими металлическими пластинами, которые наклеивают на его боковые поверхности, или металлическими наконечниками. [33]

При растяжение плоского тонкого образца с краевой трещиной происходит утонение образца на продолжении трещины. [34]

При растяжении плоского тонкого образца с краевой трещиной происходит утонение образца на продолжении трещины. [35]

Однако в тонком образце содержится мало излучающих атомов, поэтому высокие чувствительность и точность анализа могут достигаться лишь при больших значениях СА. [36]

Ток в тонких образцах с d 6 равномерно распределяется по сечению образца. [37]

Настройку на тонком образце выполняют первой, а на толстом - второй ручкой. Настройку обеими ручками повторяют последовательно несколько раз, добиваясь, чтобы на цифровом индикаторе указывались точные значения толщины образцов. [38]

В случае же тонких образцов происходит полное наводороживание их. Мелбурн отмечают, что восстановление пластических свойств у деталей, ставших хрупкими в результате кадмирования, происходит медленнее, чем у деталей, приобретших хрупкость при катодной поляризации без нанесения покрытия вследствие меньшего проникновения водорода через кадмий, по сравнению со сталью. [39]

Кривые получены для тонкого образца ( 0 5 мкм) при температуре 204 К. При увеличении напряженности поля кривые нестационарного фототока приобре -, тают отчетливо недисперсионный характер. В последнем случае на кривой 2 появляется излом, соответствующий моменту пролета носителей заряда. Результаты, представленные на рис. 2.4.4, показывают, что полевую зависимость сечений захвата и времени освобождения носителей из ловушек необходимо учитывать даже для случая слабых полей. [40]

Кривые получены для тонкого образца ( 0 5 мкм) при температуре 204 К. В последнем случае на кривой 2 появляется излом, соответствующий моменту пролета носителей заряда. Результаты, представленные на рис. 2.4.4, показывают, что полевую зависимость сечений захвата и времени освобождения носителей из ловушек необходимо учитывать даже для случая слабых полей. [41]

При испытании импульсами тонких образцов твердых диэлектриков время запаздывания весьма мало ( доли микросекунды), и поэтому пробой происходит обычно на фронте волны. В случае испытаний импульсами воздушной или жидкой изоляции при больших расстояниях между электродами, а также при испытании различных конструкций ( изоляторов, вводов) пробой может происходить как на фронте, так и на хвосте волны. Напряжение U m зависит от того, происходит ли пробой на фронте или на хвосте. [42]

Схема кинетики последовательного испарения влаги при сушке тонких капиллярно-пористых материалов различной природы, / - кривая сушки. 2-термограмма. [43]

Термограммы изотермической сушки тонких образцов капиллярно-пористых веществ различной коллоидно-физической природы следует рассматривать как один из частных случаев общей термограммы сушки поликапиллярно - пористого тела, из которой выпадают отдельные участки кривой ввиду отсутствия в сушимом веществе влаги того или иного вида связи. [44]

Во-вторых, при помещении тонкого образца в магнитное поле наблюдается более сложное проявление масштабного эффекта, которое было уже упомянуто ранее. В этом случае в рассмотрение дополнительно вводится радиус R орбиты электрона в магнитном поле и задача сводится к исследованию геометрического ( и потому классического) соотношения между R, I и а. При этом удается получить сведения не только относительно I, но также и относительно орбиты R, а следовательно, и об импульсе свободных электронов. В тех случаях, когда нет необходимости пользоваться чрезвычайно тонкими образцами металла и прилагать очень сильные магнитные поля, исследования масштабного эффекта следует производить при низких температурах, чтобы достигнуть возможно большей длины свободного пробега электронов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5