Стехиометрический образец
Cтраница 1
Стехиометрические образцы а - 1п2Те3 обладают проводимостью л-тила. На рис. 96 показан температурный ход постоянной Холла, электропроводности и произведения Щз. А постоянство эффективной подвижности указывает на независимость от температуры ип и и, если в исследуемой области не изменяется отношение подвижностеи. Постоянство ип и ир в широком интервале температур объясняется рассеянием носителей на нейтральных примесях. В других полупроводниках концентрация нейтральных примесей редко превышает 1018 - 1019 ел 3, поэтому рассеяние нейтральными примесями существенно сказывается лишь при низких температурах. В дефектных же полупроводниках концентрация собственных дефектов или нейтральных центров рассеяния близка к числу атомов. Поэтому рассеяние на таких нейтральных примесях играет ведущую роль по сравнению с другими типами рассеяния и при высоких температурах. [1]
Сделано предположение, что высокая исходная концентрация дырок в стехиометрических образцах связана с экспериментально найденной молекулярной дефектностью кристаллов. [2]
Предварительные опыты Андерсона и Ричардса [61] показали, что самодиффузия свинца в образцах, богатых серой, больше, чем самодиффузия свинца в стехиометрических образцах, а также образцах, обогащенных свинцом, что, очевидно, должно указывать на разупорядочение сульфида свинца по Шоттки. Однако более поздние опыты Симковича и Бруса Вагнера [62] показали, что скорость самодиффузии свинца имеет минимум вблизи стехиометрического состава, что указывает на преобладающий тип разупорядочения свинца по Френкелю. Эта точка зрения была подтверждена также экспериментами для образцов, лигированных серебром и висмутом. Предварительные опыты Зель-цера и Бруса Вагнера [63] показали, что самодиффузия серы происходит быстро в сульфиде свинца, богатой серой. [3]
С физической точки зрения сложность структуры гексаферри-тов также имеет ряд привлекательных черт: во-первых, наличие в системе всех типов одноосной кристаллографической анизотропии, во-вторых, возможность получения различных типов обменного взаимодействия даже в монокристаллических стехиометрических образцах. Например; представление об устройстве некоторых гек-саферритов в виде ферримагнитных шпинельных блоков, разделенных антиферромагнитными прослойками, позволило наблюдать и объяснить явление однонаправленной обменной анизотропии ( см. § 3.2) в монокристаллах гексаферритов BaCoi. [4]
 |
Температурные зависимости удельной электропроводности ( а и коэффициента термоэдс ( а моносилицидов хрома ( /, марганца ( 2, железа ( 3 и кобальта ( 4. [5] |
Чохральского; равновесные образцы моносилицида хрома готовились методом вакуумного горячего прессования порошков предварительно сплавленных слитков с последующим гомогенизирующим отжигом. Были исследованы как стехиометрические образцы, так и составы с отклонением от стехиометрического состава в сторону металла и кремния. [6]
Имеется только одно сообщение об измерении холловской подвижности в комплексах с переносом заряда. Герман и Рембаум [55] обнаружили для почти стехиометрического образца комплекса поли ( М - винилкарбазол) - иод состава 1: 1 отрицательное холловское напряжение, соответствующее значению подвижности 0 3 10 - 4 м2 - В-1-с-1. Учитывая слишком большие экспериментальные трудности и сложную теорию эффекта Холла в молекулярных кристаллах, этот результат - довольно высокий для сильно разупорядочен-ного вещества - трудно рассматривать как адекватный. [7]
На основе анализа особенностей изменения электрофизических свойств в области собственной проводимости сделан вывод о том, что свободный Sd-уровень атомов хрома в CrSi2 играет роль акцептора и энергетически расположен между краем валентной зоны и дном зоны проводимости. Из анализа экспериментальной и расчетной плотности CrSij сделано предположение о том, что высокая ( 1020 см-3) концентрация дырок при комнатных температурах в стехиометрических образцах связана с молекулярной дефектностью кристаллической решетки. [8]
По данным, полученным нами, адсорбционные изобары типа приведенных в Вашем докладе получаются для образцов со значительным содержанием сверхстехиометрического кислорода, имеющих парамагнитные свойства, в то время как для стехиометрических образцов максимум адсорбционной изобары расположен около 250 С. Такой же максимум был получен раньше Габером и Стоуном. [9]
Страницы: 1