Нитевидный образец
Cтраница 1
Нитевидный образец наклеивается на опорные пластины 2 в специальном центрирующем приспособлении и затем в этом же приспособлении устанавливается в захватах нагружающей системы, где опорные пластинки зажимаются винтами. После этого приспособление убирается, а образец остается в захватах. [1]
При контроле нитевидный образец пропускается через резонатор или помещается в него. Установка снабжена настраиваемым эталонным резонатором, который возбуждается модулированным клистрон-ным генератором. Первый фазочувствительный усилитель включен в цепь эталонного резонатора, который перестраивается так, чтобы оба резонатора находились в резонансе на генерируемых клистроном колебаниях. Имеется цифровое считывающее устройство для регистрации настройки эталонного резонатора. [2]
Практическая прочность очень тонких нитевидных образцов различных веществ значительно выше прочности объемных образцов. [3]
 |
Десорбционный спектрометр. [4] |
Мгновенное измерение температуры нитевидного образца легко достигается контролем сопротивления. Нить при этом служит и образцом, и датчиком сопротивления. Падение напряжения на образце при пропускании через него постоянного нагревающего тока дает сигнал, пропорциональный сопротивлению нити, если только сила тока в нити остается неизменной при ее нагревании. Такая схема пригодна только для короткого образца большого диаметра. [5]
Сущность метода состоит в инжекции в нитевидный образец узкого импульса неосновных носителей тока и в смещении этого импульса вдоль образца при помощи электрического поля. Одна из наиболее распространенных схем этого опыта показана на фиг. [6]
Инжекция неосновных носителей тока уменьшает сопротивление нитевидного образца между эмиттером и коллектором и тем самым вызывает рост тока коллектора. Схема питания нитевидного транзистора также показана на фиг. Пусть Fc - напряжение на коллекторе, a Ve - потенциал некоторой точки нитевидного образца, расположенной вблизи эмиттера, причем оба потенциала отсчитываются по отношению к потенциалу базы. Допустим далее, что потенциал Vc настолько велик, что все дырки переносятся полем к коллектору и не диффундируют в заметном количестве к базовому контакту ( см. гл. [7]
Определяя изменение концентрации избыточных неосновных носителей тока вдоль нитевидного образца, в который инжектируется постоянное число неосновных носителей тока, можно измерить диффузионную длину Ln или Lp, так как концентрация избыточных носителей тока в стационарных условиях меняется, как ехр [ - x / Lp ], где х - расстояние от точки инжекции. При этом предполагается, что поверхностная рекомбинация не влияет существенным образом на величину времени жизни нитевидного образца ( см. гл. Чтобы убедиться, что это так, следует повторить измерения на образцах другой толщины и, если необходимо, внести соответствующие поправки, связанные с поверхностной рекомбинацией, так, как это рекомендуется в гл. [8]
Были исследованы удельная пррводимость и эффект Холла нитевидных образцов серого олова, содержащих 2 5 - Ю17 см-3 примесей, в интервале 70 - 270 К. [9]
Из данных табл. 2 видно, что прочность нитевидных образцов различных веществ как органического, так и неорганического происхождения в сотни раз больше прочности объемных образцов тех же веществ. [10]
Из данных табл. 2 видно, что прочность нитевидных образцов различных веществ как органического, так и неорганического происхождения в сотни раз больше прочности объемных образцов тех же веществ. [11]
 |
Схема для определения времени жизни по кинетике фотопроводимости. [12] |
Коллекторный зонд устанавливается в некоторой точке на плоской поверхности нитевидного образца, по которой совершает колебательные движения световой луч. Зависимость тока коллектора от времени, определяемая величиной избыточной концентрации неосновных носителей заряда в области точечного контакта, будет описываться двумя экспоненциальными законами вида const-e - 9l z, где величины Gj и 92 различны и соответствуют одна - случаю движения светового пятна к коллектору, а вторая - случаю движения светового пятна от коллектора. Решение уравнения непрерывности дает выражение для величин 6г и 92 через рекомбинационные параметры, и можно найти, что время жизни неосновных носителей заряда выражается как т 6j - 02, а диффузионная длина L, - оУв, где v - скорость движения светового пятна относительно коллектора. [13]
Данные об адсорбции были получены с помощью длительного нагревания нитевидного образца. Он состоит в измерении изменения давления в системе после десорбции ранее адсорбированного газа в результате длительного нагревания образца в виде проволоки или нити до высокой температуры. [14]
Совсем недавно Эвальд и Конке [102, 104] разработали технологию выращивания кристаллических нитевидных образцов серого олова. [15]
Страницы: 1 2 3