Образование - домен
Cтраница 1
 |
Возникновение высокочастотных колебаний. [1] |
Образование домена в кристалле соответствует резкому возрастанию удельного сопротивления. [2]
Образование доменов объясняется следующим образом. В результате этого взаимодействия спины электронов ориентируются параллельно друг другу внутри небольших областей - доменов. Внутри домена возникает весьма сильное магнитное поле, так что домен оказывается намагниченным до насыщения. [3]
Образование доменов объясняется следующим образом. [4]
Образование доменов объясняется следующим образом. В результате этого взаимодействия спины электронов ориентируются параллельно друг другу внутри небольших областей - доменов. Внутри домена возникает весьма сильное магнитное поле, так что домен оказывается намагниченным до насыщения. [5]
Образование доменов связано с фазовым переходом кристалла в состояние с более низкой симметрией. При этом возможно возникновение неск. [6]
Образование доменов полимерной фазы приводит к увеличению числа дефектов, на к-рых происходят новые акты зарождения. Процессы этого типа характеризуются самоускорением с ростом глубины конверсии ( S-образные кинетич. [7]
Образование доменов полимерной фазы приводит к увеличению числа дефектов, на к-рых происходят новые акты зарождения. Процессы этого типа характеризуются самоускорением с ростом глубины конверсии ( S-образные кинетич. [8]
 |
Возникновение высокочастотных колебаний. [9] |
Процесс образования домена очень кратковременный, поэтому можно считать, что ток практически мгновенно переходит от максимального значения к минимальному. Пока домен движется к аноду, величина тока остается неизменной. Достигнув анода, домен начинает разрушаться, а ток - возрастать. Как только домен разрушится и ток достигнет максимального значения, образуется новый домен, и ток мгновенно спадает до минимума. [10]
Процессы образования доменов в сегнетоэлектриках были наиболее полно изучены с помощью приложения импульсных электрических полей, превышающих по амплитуде коэрцитивные поля Ес. Было обнаружено, что процессы инверсии первоначального доменного состояния под действием внешнего поля Е, обратного полю спонтанной поляризации, имеют многоступенчатый характер. Вначале домены в виде острых игл наноразмеров образуются вблизи электродов, а затем начинается их выстраивание по всему объему, достигающее в результате боковых поверхностей кристалла. Одновременно происходит процесс коалесценции доменов, которые впоследствии достигают размеров микрометров. [11]
Причиной образования доменов являются обменные силы возникающие в результате обобществления электронов, принадлежащих соседним атомам. Поэтому стенки между сегнетоэлектрическими доменами тонкие, порядка нескольких междуатомных расстояний, в отличие от стенок ферромагнитных доменов, которые могут доходить до сотен междуатомных расстояний из-за наличия в ферромагнетиках дальнодействующих сил ди-поль-дипольного взаимодействия. [12]
Причину образования доменов внутри ферромагнитного кристалла можно пояснить, исходя из известного положения о том, что устойчивым состоянием системы является то состояние, которому соответствует минимум свободной энергии. [13]
При образовании домена напряженность электрического поля вне домена и ток в цепи диода уменьшаются, а потенциал домена, в первоначальный момент времени равный нулю, начинает увеличиваться. [14]
При образовании доменов основную РОЛЬ играет магнитостатпческая энергия ( энергия размагничивания), которая связана с существованием магнитных полюсов на поверхности образца. Как показано на фиг. Можно вычислить, что ПРИ образовании Л доменов энергия размагничивания уменьшается в Ат раз по сравнению с первоначальным значением. [15]
Страницы: 1 2 3 4