Образование - двухмерная зародыш
Cтраница 1
 |
Образование двухмерного вакансионного зародыша на идеальной поверхности кристалла ( а и возле винтовой дислокации ( б. [1] |
Образование двухмерных зародышей преимущественно в зоне выхода дислокации является результатом уменьшения работы образования зародышей, потому что во время растворения деформированного микроучастка освобождается энергия искажения решетки. [2]
Поскольку работа образования двухмерных зародышей в виде мономолекулярных пленок на поверхности подложек значительно меньше, чем у трехмерных зародышей, более вероятным является образование первых. Очевидно, что для повышения долговечности камня необходимо стремиться к формированию структуры, содержащей преимущественно поры диаметром меньше равновесного диаметра зародыша кристаллического продукта коррозии. [3]
Высокое значение работы образования двухмерных зародышей на пассивированной поверхности, резко отличное от таковой для свежей поверхности, приводит к тому, что при значительном перенапряжении локализование возникает высокий пакет зародышей, распространение которого по уже запассивированной поверхности предыдущего слоя затруднено. Распространение зародышей затруднено еще и потому, что весьма быстро, лавинообразно протекающий процесс образования многослойного зародыша приводит к резкому снижению концентрации в его окружении; область роста при этом сокращается до весьма малых размеров, характерных для кристаллов рассматриваемого типа осадков. [4]
Рост кристаллов за счет образования двухмерных зародышей возможен при коэффициентах пересыщения не менее 1 01 - 1 02, что составляет примерно 1 - 2 / 6 от значения растворимости. [5]
Рост кристаллов должен определяться процессом образования двухмерных зародышей только в узкой области пересыщений раствора, лежащей между х и хг. [6]
Наличие дислокаций на гранях кристалла исключает необходимость образования двухмерных зародышей, и кристалл может расти при незначительной степени пересыщения у его поверхности, так как энергетический барьер, преодолеваемый для включения частицы в кристаллическую решетку в местах дислокаций, значительно ниже. [7]
Некоторые авторы [65, 66] объясняют влияние добавок уменьшением работы образования двухмерных зародышей и соответствующим увеличением скорости роста кристаллов. [8]
Если рост граней кристалла при электроосаждении происходит за счет образования двухмерных зародышей на металле, ионы которого разряжаются, то необходимо определенное минимальное скоп. Для описания свойств такой системы вводим понятие о краевом натяжении р, которое является аналогом поверхностной работы. [9]
Если рост граней кристалла при электроосаждении происходит за счет образования двухмерных зародышей на металле, ионы которого разряжаются, то необходимо определенное минимальное скопление частиц на поверхности осаждения. Для описания свойств такой системы вводим понятие о краевом натяжении р, которое является аналогом поверхностной работы. [10]
Факторе АГ, определяющий, согласно этой теории, скорость образования двухмерных зародышей и соответственно скорость роста грани, должен быть в 1000 раз больше, чем величина, вычисляемая PIS теории. [11]
Таким образом, существуют два независимых механизма роста кристалла: совершенная грань кристалла перемещается при помощи образования двухмерных зародышей и растет последовательными слоями; несовершенная грань кристалла, имеющая выход винтовой дислокации, всегда содержит ступеньку, благодаря которой возможен рост. Первый механизм характерен для сильно пересыщенных растворов, второй - для слабо пересыщенных. [12]
Фольмера ( 7) дополнительными множителями: е kT и а, первый из которых учитывает вероятность образования двухмерных зародышей. Появление этого множителя связано с тем, что возникающая новая фаза обладает определенной структурой, поэтому для роста зародыша недостаточно только попадания ионов ( или молекул) на его поверхность, необходимо также образование этой структуры. Множитель а указывает, что вероятность образования двухмерного зародыша на одной из граней трехмерного пропорциональна площади, служащей подкладкой для двухмерного зародыша. [13]
Положения, развиваемые К. М. Горбуновой и П. Д. Данко-вым, отражают результаты микрофотографических исследований, представляющих процесс роста кристаллов посредством послойного образования двухмерных зародышей. [14]
Однако оценка степени пересыщения жидкого раствора углеродом при температурах, когда наблюдается выделение графита, показывает [16], что вероятность образования двухмерных зародышей на базисной грани мала. Основную же роль в утолщении пластины играет, по-видимому, дислокационный механизм роста графита. [15]
Страницы: 1 2 3 4