Cтраница 1
Образование кластера сопровождается перетеканием заряда на его поверхность, что создает устойчивость кластера. Выясним, каким образом заряд распределен на концах кластера. Используем модель, считая, что его концы - это нити радиуса, совпадающего с радиусом частиц, из которых составлен кластер. Определим характерную длину конца нити Z, на которой сосредоточен заряд. Оценку этой величины можно получить из условия, что электрическая, энергия взаимодействия зарядов. [1]
Образование кластеров из анионных вакансий в щелочных галогенидах приводит к возникновению агрегатов / - - центров. Центр состоит из двух анионных вакансий плюс электронный центр с осью симметрии вдоль направления [011] или эквивалентного ему направления. Взаимодействие двух электронов дает диамагнитное основное состояние ( 5 0) плюс возбужденный триплет ( 51) ( разд. [2]
Образование кластеров и даже кристаллов модификатора независимо или наряду с адсорбцией на адсорбенте-носителе происходит в том случае, когда энергия сублимации превосходит энергию адсорбции. Так, при избытке фталоцианина в смешанном адсорбенте ГТС фталоциаиины при осаждении последнего, а не при адсорбции из растворов, получается, по-видимому, смесь ГТС с кристаллом фталоцианина. [3]
Образование кластеров - диффузионный процесс, связанный с перемещением атомов легирующего элемента в решетке твердого раствора. Важнейшей особенностью кинетики образования кластеров является необычайно высокая диффузионная подвижность атомов растворенных элементов. [4]
Образование кластеров ускоряется при повышении давления пара растворителя, а в случае необходимости также при внесении добавок инертного газа. [5]
Образование кластеров не является привилегией только молибдена и вольфрама. Расстояния Nb - 1ЧЬвэтой структуре равны 2 85 А, a Nb-J 2 85 и 2 93 А. [6]
![]() |
Зависимость модуля сдвига от температуры. [7] |
Образование кластеров достаточно вероятно, так как реакция имеет гетерогенный характер, обусловленный тем, что оксиды металлов не растворяются в каучуке. Реакции предшествует адсорбция карбоксильных групп на поверхности дисперсных частиц оксида. Взаимодействие солевых группировок, входящих в состав мультиплетов и кластеров, продолжается после израсходования всего оксида цинка. [8]
Образование кластеров свободными радикалами подтверждается результатами вымывания водой хлорного железа из осадка, приводящего к разрушению кластеров и восстановлению сигналов ЭПР. [9]
Образование кластеров дефектов приводит к деформации кристаллической решетки, сопротивление которой обусловливает уменьшение вероятности реакции по мере роста кластеров. [10]
Образование кластера любого данного состава и размера будет обусловливать, как было показано выше, увеличение свободной энергии на Aga ( x, х), вследствие чего в рассматриваемом метастабильном растворе может быстро установиться квазистационарное распределение таких кластеров. Пусть х - состав, наиболее благоприятный для зарождения новой фазы р которая, по предположению, может возникать или непосредственно из твердого раствора путем совместных флуктуации структуры и состава, или из кластеров путем перестройки их структуры. [11]
Для образования кластеров необходимо выбрать такую температуру отжига, которая была бы достаточно низка, чтобы могла происходить ассоциация ( равновесия в приведенных выше реакциях (7.32) сдвигаются вправо), и в то же время достаточно высока, чтобы затруднения диффузии меньше сказывались на достижении равновесия. [12]
Возможно образование кластеров, включающих до семи молекул воды. [13]
Скорость образования кластера управляется кислотностью раствора. Изменение кислотности раствора приводит, к изменению заряда частиц, что влияет на версь. Структура, образуемая в медленном режиме, видимо, более стабильная. [14]
![]() |
Изменение энтальпии при образовании кластеров в газовой. [15] |