Образование - контакт
Cтраница 2
 |
Энергетические диаграммы контакта металл - собственный полупроводник ( а и металл - слаболегированный полупроводник р-слоем ( б. [16] |
При образовании контакта металла с собственным полупроводником происходит обогащение носителями заряда приконтакт-ного слоя и проводимость его увеличивается. На рис. 2.10 приведены энергетические диаграммы для такого контакта. [17]
При образовании идеального контакта происходит диффузия электронов из полупроводника в металл, металл заряжается отрицательно, а в приконтактной области полупроводника образуется слой, обедненный основными носителями заряда, заряженный положительно неподвижными ионами доноров. За счет этого возникают электрическое поле, напряженность которого направлена в сторону от полупроводника к металлу, и потенциальный барьер, Поле препятствует дальнейшему движению электронов в металл, поэтому в состоянии равновесия уровень Ферми для металла и для полупроводника становится единым. Образованный слой располагается в полупроводнике, так как он обладает удельным сопротивлением значительно большим, чем удельное сопротивление металла. [18]
При образовании идеального контакта металла с полупроводником возникает диффузия электронов из материала с меньшей работой выхода в материал с большей работой выхода. [19]
В момент образования контакта между двумя металлическими поверхностями сумма площадей элементарного контакта еще очень мала, а давление на отдельных выступах очень велико. В результате на самых высоких выступах может происходить пластическое течение, что будет свидетельствовать о достижении предела текучести р для более мягкого металла. Нормальная сила, таким образом, распределяется на выступы, где давление в вершинах достигает р, и на меньшие выступы, где давление вызывает лишь упругие деформации. [20]
Рассмотрим процесс образования контакта двух шероховатых частиц сферической формы, сближающихся под действием сдавливающей силы. Если усилия, возникающие в точках контакта, превышают предел прочности материала зерен, то у хрупких материалов происходит разрушение, а у пластичных - сплющивание зерен. Деформация зерен при сплющивании сопровождается ростом номинального пятна контакта. [21]
В случаях образования контактов на таких улицах между автомобилями и пешеходами приоритет должен отдаваться пешеходу. [22]
Использование электролита для образования контакта с полупроводником позволяет получить один из наиболее эффективных запирающих контактов. Причина этого очевидна при рассмотрении фиг. [23]
Кстати, для образования прочных контактов не обязательно взаимодействие за счет водородных связей. Несомненно их энергия превышает энергию ван-дер-ва-альсовых взаимодействий в 3 - 4 раза. Но с таким же успехом образуются связи между волокнами из синтетических полимеров, не дающих водородных связей, при обработке их поверхности растворителями или при частичном оплавлении и взаимном контакте, что обеспечивает молекулярную гомогенизацию. [24]
 |
Методы сжигания газа. [25] |
Процесс горения начинается после образования контакта между газом и воздухом и образованием газовоздушной смеси необходимого состава. К струе газа ( рис. 7, а) диффундирует воздух, а из струи газа в воздух - газ. Горение основной части газа происходит в зоне - 3, а в зоне 4 движутся продукты сгорания. [26]
С другой стороны, образование контактов происходит с преодолева-нием кристаллизационного давления и поэтому сопровождается возникновением растягивающих напряжений в кристаллических сростках, которые обусловливают уменьшение прочности кристаллизационной структуры. Таким образом, впервые было доказано существование некоторой оптимальной структуры. [27]
С другой стороны, образование контактов происходит с преодолева-нием кристаллизационного давления и поэтому сопровождается возникновением растягивающих напряжений в кристаллических сростках, которые обусловливают уменьшение прочности кристаллизационной структуры. Таким образом, впервые было доказано существование некоторой оптимальной структуры. [28]
С другой стороны, образование контактов происходит с преодолева-нием кристаллизационного давления и поэтому сопровождается возникновением растягивающих напряжений в кристаллических сростках, которые обусловливают уменьшение прочности кристаллизационной структуры. Таким образом, впервые было доказано существование некоторой оптимальной структуры. [29]
Безусловно, нельзя исключить образования прочных контактов путем срастания кристаллов и выкристаллизовывания контактных зародышей. Предположением о том, что пространственная структура упрочняется прежде всего путем образования фазовых контактов между гидросиликатами, а не просто путем заполнения ими свободного пространства и когезионного взаимодействия, хорошо объясняется несогласованностью прироста потерь веса при прокаливании с интенсивностью увеличения модуля Ей при повышенных температурах. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5