Образование - неравновесная концентрация
Cтраница 1
 |
Зависимость стационарной концентрации от давления при разных силах тока ( в ма. / - 50. 2 - 100. 3 - 150. 4 - 200. 5 - 300. 6 - 400 ( N2. 02l. 1. [1] |
Образование неравновесных концентраций как результат различия электронной и молекулярной температур является, по-видимому, общим явлением при химических процессах в низкотемпературной плазме. Совсем недавно [ И ] было показано, что при диссоциации СО2 в тлеющем разряде возникают также неравновесные степени диссоциации. [2]
 |
Зависимость стационарной концентрации от давления при разных силах тока ( в ма. / - 50. 2 - 100. 3 - 150. 4 - 200. 5 - 300. 6 - 400 ( N2. О21. 1. [3] |
Образование неравновесных концентраций как результат различия электронной и молекулярной температур является, по-видимому, общим явлением при химических процессах в низкотемпературной плазме. Совсем недавно [11] было показано, что при диссоциации СО2 в тлеющем разряде возникают также неравновесные степени диссоциации. [4]
В частности, возбужденному состоянию полупроводника соответствует образование неравновесных концентраций свободных частиц: электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. [5]
Высокая интенсивность процесса нагревания, а затем охлаждения смеси газов в цилиндре ДВС приводит к образованию существенно неравновесных концентраций реагирующих веществ. Происходит как бы замораживание ( закалка) образовавшегося NO на уровне максимальной концентрации, который обнаруживается в выпускных газах из-за резкого замедления скорости разложения NO. Азотсодержащие составляющие топлива ( амины, циклические соединения в виде пиридина, карбазола) являются важными источниками образования топливного NO уже при температурах 1300 - 1400 К, так как на это требуется энергии меньше, чем на разрушение связей молекулярного азота. Эти вещества легче вступают в реакцию окисления, чем атмосферный азот. [6]
Высокая интенсивность процесса нагревания, а затем охлаждения смеси газов в цилиндре ДВС приводит к образованию существенно неравновесных концентраций реагирующих веществ. [7]
Решив уравнение ( 9 - 113), можно получить закон изменения концентрации неосновных носителей вдоль координаты х; отсчитываемой от области образования неравновесной концентрации. [8]
Для области свободного расширения, в которой распределение плотности и концентрации электронов ( при ссе const) описывается формулой ( 1), резкое падение Те вдоль оси струи и высокие относительные концентрации электронов и ионов ( двухзарядных и однозарядных) создают условия для образования неравновесных концентраций возбужденных атомов и ионов. [9]
Для возникновения люминесценции к полупроводнику подключают внешний источник энергии с целью его перехода в возбужденное состояние. Возбужденному состоянию полупроводника соответствует образование неравновесных концентраций свободных частиц: электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. [10]
Для возникновения люминесценции к полупроводнику подключают внешний источник энергии с целью его перехода в возбужденное состояние. Возбужденному состоянию полупроводника соответствует образование неравновесных концентраций свободных частиц: электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. [11]
Электрическое сопротивление твердых растворов при комнатной температуре значительно больше, чем у чистых металлов, и тем в большей степени, чем больше произведение концентраций компонентов. Это объясняется нарушениями регулярности решетки микрокристаллитов даже при статистически равномерном распределении атомов растворенного вещества. В еще большей степени сопротивление твердых растворов возрастает при образовании местных неравновесных концентраций атомов компонентов раствора, образующихся возле вакансий и на границах микрокристаллитов пленки. Очевидно, что ТКС таких сплавов меньше, чем у исходных компонентов, из-за высокой концентрации дефектов и наличия центров рассеяния. [12]
Страницы: 1