Cтраница 3
На рис. 50 изображена диаграмма движения энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника при введении дйбавни. На схеме I показало, что при введении добавки положение уровня Ферми не изменяется и возникает уровень приме-ои Et. Если в кристалле содержатся дефекты ( схема И), уровень Ферми сдвигается по сравнению с более упорядоченным кристаллом, и повер хность полупроводника заряжается вследствие искривления валентной зоны и зоны проводимости. При адсорбции электроноавдалторной молекулы ( например, О2) и энергетическом спектре появляется новый уровень Et, положение которого определяется уровнем Ферми Ef и энергетическим уровнем примеси Ех. Анализ рисунка показывает, что по изменению электропроводности модифицированного полупроводника по сравнению с чистым твердым телом ( без добавок) можно осуществить контроль за движением уровня Ферми, и поэтому существует зависимость между электропроводностью, Еа ( и скоростями окисления углеводородов. Наибольшее добавочное заряжение поверхности в условиях предкатализа достигается на катализаторах, в которые введены электроноакцапторные добавки. [31]