Образование - максимум
Cтраница 1
Образование максимумов и минимумов в ближней зоне преобразователя объясняется большой разницей путей от различных точек А преобразователя до исследуемой точки В и связанной с этим разностью фаз приходящих сигналов. Если точка В приблизится к преобразователю, то на его поверхности появятся излучатели, сигналы которых будут приходить в противофазе с сигналами центральной зоны и ослаблять суммарное значение амплитуды. [1]
Образование максимумов при добавлении нафталина и хинолина, видимо можно объяснить следующим образом. [2]
 |
Поле на оси преобразователя ( а и его схематичное изображение ( б. [3] |
Образование максимумов и минимумов в ближней зоне преобразователя объясняется большой разностью расстояний от различных точек преобразователя до исследуемой точки В и связанной с этим разностью фаз приходящих сигналов. [4]
 |
Зависимость относительной производительности горизонтальной камерной печи для нагрева слитков от коэффициента заполнения kt и общей тепловой мощности за период нагрева 2о6щ const. [5] |
Образование максимума на кривой относительной производительности объясняется тем, что увеличение садки GM приводит вследствие снижения величины Q, к уменьшению теплового потока qu, получаемого нагреваемым материалом, и к удлинению первого периода нагрева тг В связи с этим уменьшается перепад температуры по сечению слитка в начале выдержки и соответственно сокращается ее продолжительность т Г В результате до некоторого значения k увеличение Gu опережает увеличение суммы т, тп, и относительная производительность возрастает. [6]
Образование максимума на кривой J / ( pH) в некоторых случаях может быть обусловлено и другими причинами. Так, например, при переходе от бесконечно малых концентраций радиоактивного изотопа к более значительным появляется возможность образования полиядерных продуктов гидролиза в виде положительно заряженных коллоидных частиц. Тогда уменьшение величины положительного заряда гидролизован-ных ионов может компенсироваться увеличением количества атомов металла на единицу заряда, а переход в коллоидное состояние может увеличить адсорбцию радиоактивного изотопа благодаря коагуляции положительных коллоидов на отрицательно заряженной поверхности катионообменного адсорбента. [7]
Образование максимумов 1-го и 2-го рода на полярографических волнах используют в полярографии для определения небольших примесей поверхностно-активных веществ. [8]
Образование максимумов и минимумов в ближней зоне объясняется разностью фаз сигналов, приходящих в точку В ( см. рис. 3.1) от различных точек преобразователя. Эти сигналы интерферируют один с другим, образуя суммарный сигнал в точке В. [9]
Образование максимума температуры вблизи стенок обусловлено более ранним тепловыделением в этой области. [10]
Причина образования максимума на кривой зависимости СА - 1АМС ( как и появления минимума на кривых т / 2 - 1АМС) связана с различным влиянием увеличения густоты сетки на скорость зародышеобразования и роста. Но в случае больших степеней растяжения левый участок кривой выявляется значительно четче, и экстремум приходится на значительно большие значения 1 / Мс, чем в отсутствие растяжения. [11]
 |
Зависимость выхода цимолов ( 1, r r. [12] |
Второй причиной образования максимума может быть более сильная сорбция продуктов алкилирования на активных центрах по сравнению и исходными ароматическими углеводородами. [13]
Для предотвращения образования максимумов в пробу вводят поверхностно-активные вещества, адсорбция которых способствует выравниванию поверхностного натяжения и затормаживает движение ртути на поверхности капли. Для этих целей обычно применяют растворы желатины или агар-агара. [14]
Очевидно, на образование максимума на кривой / - Е влияет дополнительное количество восстанавливаемого вещества, которое достигает электрода, превышая то количество, которое дается одной диффузией. [15]
Страницы: 1 2 3 4