Образование - множество
Cтраница 2
А и В состоит в образовании множества, в которое входит каждый элемент из Л и каждый из В. Если элемент одновременно принадлежит и множеству Л и множеству В, то в Л US он встречается только один раз. [16]
Характерным для последней группы реакций является образование множества побочных продуктов, что сильно осложняет стадию очистки. [17]
Менее радикальной кажется идея ограничить свободу образования множеств. В одной из разновидностей теории множеств 4 различают два типа объектов, подобных множествам. Первые называют классами; они имеют элементы и во многом напоминают наивные множества. Однако класс не обязательно способен быть элементом другого класса. Тс классы, которые на это способны, являются множествами. [18]
Светимость пламени при сжигании мазута обусловлена образованием множества мельчайших частиц сажи. Механизм образования сажи мало изучен. [19]
 |
Прибор для наблюдения критического состояния эфира. [20] |
При охлаждении бани ампула внезапно мутнеет вследствие образования множества мельчайших капелек эфира, после чего эфир собирается в нижней части ампулы. [21]
Многократное повторение соударений рабочих поверхностей приводит к образованию множества единичных лунок и формированию специфического макрорельефа на изнашиваемой поверхности, характерного отсутствием направленной шероховатости в виде рисок. [22]
 |
Схема электрохимического коррозионного процесса. [23] |
Электрохимическая коррозия возникает в результате неоднородности поверхности металла и образования множества анодных ( с более электроотрицательным потенциалом еа) и катодных ( с более положительным электродным потенциалом ек) участков. [24]
Революция 1905 - 1907 гг. создала благоприятные условия для образования множества политических партий, как русских, так и национальных. Все они в те годы действовали вполне легально. Число их вместе с ранее возникшими нелегально партиями к исходу революции было более ста. Эти партии являлись выразителями различных социальных, национальных и даже религиозных интересов, что было отражено в их программах. [25]
Существует 2 способа формирования омических контактов: 1) образование множества дефектов кристаллической решетки путем шлифования поверхности полупроводника; 2) формирование на поверхности полупроводника тонкого слоя с высокой концентрацией примеси. При втором способе преобладает туннельный ток. Важной характеристикой омического контакта является величина его электрического сопротивления. При изготовлении быстродействующих БИС необходимо получить крайне малую величину сопротивления омических контактов схемы. [26]
По внешнему виду это типичное хрупкое разрушение, завершившееся образованием множества трещин такой сложной формы, что трудно определить точки, в которых началось разрушение. [27]
Она довольно значительна и скольжение по основной плоскости приводит к образованию множества дефектов. [28]
При реализации этой процедуры удобно на каждой итерации к при образовании множества Zk удалять те разности xt - ж -, которые входили в разложение обобщенного портрета р0л - 1 с нулевым весом. Уменьшение числа векторов в Zh позволяет сократить время построения обобщенного портрета ок. [29]
Страницы: 1 2 3 4