Образование - носитель - заряд
Cтраница 1
Образование носителей заряда происходит п тем диссопншин полярного состояния При очень слабых межмолекулярньгх взаимодействиях ровни по-тмрных состояний расположены очень высоко по огггошекйю к основном шсгоягшкэ си стеыы, поэтому концентрация полярных ( парамагнитных) центров миннм льн и эти нещесгва должны быть диэмагчетикалги и изоляторами Сигнал ЭПР D таких соединениях к ним, вероятно, отнО [ ится большинство пло о проводящих полимеров) может возникнуть точько за счет КПЗ образующихся при взаимодейсвии молекул ociioBiioro вещества с легко ионизирующимися иепэра-магнитнымн примесями ( в час. По мере усиления взаимодействий в твердом теле уровни почярных состояний ciyH жаются и возрастает концентрация собственных парамагнитных центров, обусловливающих nofTB гсние сингала ЭпР вследствие электронных переходов между молекулами основного вещества В атих соединениях ( сюда относятся многие хорошо проводящий полимеры) должна обнаруживаться свяэь межд электрическими и парамагнитными свойствами При достаточно сильных межмолекулярных связях уровни п011рных состояний могг практически совпадать с невозб ж денным ypomic - M, и тогда парамагкитпое сснтояние системы становится осноиныч Такие вещества должны характеризоваться парамагнетизмом, не зависящим от температуры, и высокой проводимостью, как, например лучшие индивид атьние КПЗ Hd основе тетрацианхинодиистана Однако при дальнейшем снижении рощ ней полярных состояний образующиеся в peiynbTaTe электронного переноса ион радикалы могут проявлять себя как независимые парамагнитные центры ( в соответствии с законом Кюри), и тогда сопротивление должно сновз пшрас. [1]
Процесс образования носителей зарядов в результате столкновения свободных электронов с атомами газа называется ионизацией соударением или ударной ионизацией. В результате соударения свободные электроны могут выбить электроны из нейтральных молекул ( атомов) или присоединиться к ним. В первом случае образуются ионы, положительно заряженные, во втором - отрицательно заряженные. С увеличением приложенного напряжения скорости движения носителей зарядов возрастают. [2]
Модельные представления механизма образования носителей заряда в собственном и примесных полупроводниках были рассмотрены ранее. [3]
Модельные представления механизма образования носителей заряда в собственном и примесном полупроводниках были рассмотрены в § 7.3. Как отмечалось, в отсутствие внешнего электрического поля носители заряда ( электроны и дырки) совершают хаотическое движение в пределах кристалла. При приложении внешнего электрического поля преимущественным направлением движения электронов становится движение против поля, дырок - в направлении поля. Последнее объясняется тем, что движение дырки осуществляется посредством движения электрона, участвующего в ковалентной связи. Следовательно, преимущественным движением дырок в электрическом поле будет движение, противоположное направлению движения электронов. Таким образом, движение дырки во внешнем электрическом поле подобно движению положительно заряженной частицы. [4]
Настоящая глава посвящена подробному рассмотрению механизма образования носителей заряда и условий, определяющих р - или n - тип проводимости в полимерных полупроводниках. В главе V было установлено, что взаимодействие с иодом в определенных условиях продуктов РТМ полимеров приводит к уничтожению кислородсодержащих групп без образования комплексов с переносом заряда. Ниже рассматриваются экспериментальные данные, подтверждающие это предположение. [5]
Примесная электропроводность наблюдается в примесных полупроводниках, механизм образования носителей заряда в которых определяется как энергетическим спектром самого полупроводника, так и энергетическим спектром атомов примеси. Различают примесную электропроводность п - и р-типа. [6]
Примесная электропроводность наблюдается в примесных полупроводниках, механизм образования носителей заряда в которых определяется как энергетическим спектром самого полупроводника, так и энергетическим спектром атомов примеси. Различают примесную электропроводность п - и / 7-типа. [7]
Энергия, выделившаяся в полупроводниковом детекторе, тратится на образование носителей заряда в виде свободных электронов и дырок, которые собираются на электродах. Обычно образуется так много носителей, что статистическими флюктуациями их числа можно пренебречь. [8]
 |
Плотность поверхностного заряда при различных значениях L / R ( L - расстояние до нейтрализатора, R-радиус ролика. [9] |
Эффективность нейтрализации зависит от полярности зарядов, которая влияет на условия образования носителей зарядов и их подвижность. Общее воздействие этих двух факторов определяет, какого знака заряды легче всего нейтрализовать. Сначала рассмотрим получение носителей зарядов. [10]
Поэтому в отличие от чистого кристалла антрацена в данном КПЗ энергетически разрешен процесс образования носителей заряда при Т - / - аннигиляции двух триплетных экситонов. [11]
 |
Связь концентрации молекул и их. [12] |
В результате внешних воздействий ( сильного нагрева, электромагнитного излучения, бомбардировки быстрыми частицами) возможна ионизация газовых молекул и атомов с образованием носителей заряда - свободных электронов и ионов. [13]
В современных электронных приборах используется возможность управления потоком зарядов, образующих электрический ток. Однако образование носителей зарядов и управление ими в электронных лампах и в полупроводниковых приборах происходит по-разному. [14]
Так как кривая зависимости величины фототока от длины волны коррелирует со спектром поглощения вещества, то первоначальной ступенью процесса является поглощение фотона и возникновение возбужденного электронного состояния. Последующая ступень, ведущая-к образованию носителей заряда, трактуется по-разному. Клейнерман и Макглинн41, сравнив фототок у соединений с различной заселенностью триплетных уровней, пришли к выводу, что триплетное состояние не участвует в процессе проводимости. [15]
Страницы: 1 2 3