Образование - область
Cтраница 1
 |
Схема опыта по обнаружению области с дырочной проводимостью вблизи острия на л-гер-мании. [1] |
Образование области с дырючной проводимостью па n - германии вблизи острия было доказано экспериментально Вальде-сом. [2]
Образование областей взаимодействующих между собой сегментов разнородных молекул имеет место, например, в смесях ПВХ с другими полимерами, что обусловливает значительное и неожиданное с точки зрения химической природы второго полимера увеличение скорости деструктивных превращений ПВХ. [4]
Образование областей дальнего порядка в кристаллизующихся полимерах за счет параллельной укладки полностью выпрямленных макромолекул маловероятно, хотя, при определенных условиях, кристаллизация с образованием кристаллов с выпрямленными цепями ( КВЦ) и возможна ( стр. Обычно в образовании кристаллических областей ( кристаллитов) принимают участие лишь небольшие регулярные участки макромолекул, длина которых не превышает сотен А. Атомы в кристаллитах располагаются в строго трехмерном порядке, так же как в кристаллах низкомолекулярных веществ. Тип и параметры кристаллической решетки определяют обычно по расположению рефлексов в большеугловых рентгенограммах полимера, а размеры кристаллитов по их уширению ( см. раздел II. [5]
Образованию заряженных областей в грозовых облаках предшествуют процессы, приводящие к электризации облачных частиц и гидрометеоров. Только в тех случаях, когда электризация частиц протекает таким образом, что на частицах, перемещающихся под действием гравитационных сил с разной скоростью, оказываются заряды разных знаков, или заряды на частицах и в воздухе имеют разные знаки, может происходить их разделение. Следовательно, образование заряженных областей в грозовых облаках, как, впрочем, и в любых других, начинается с электризации облачных частиц и гидрометеоров в них. Поэтому для выяснения механизма возникновения грозового электричества необходимо в первую очередь рассмотреть, какие процессы электризации могут иметь место в ку-чево-дождевых облаках. Затем необходимо выяснить, какие из этих процессов являются доминирующими. [6]
Так, образование мелких областей неоднородности и соответственно пор ( после обработки в кислоте) с радиусом около 50 А было объяснено тем, что такие стекла подвергались термообработке при температурах выше области метастабильной ликвации и поэтому ликвационная структура стекла в самой начальной стадии ее образования с очень мелкими размерами областей неоднородности могла возникнуть только вследствие несовершенства закалки при недостаточно быстром прохождении зоны метастабильной ликвации. Наоборот, образование крупных пор после выдержки при более низких температурах было объяснено тем, что термообработка производилась в области метастабильной ликвации. Как видно, эти факты хорошо согласовались с прогнозами Роя. [7]
Очевидно, образование областей застойной жидкости изменяет величину пористости. [8]
Указанные причины образования областей срыва подачи, по мнению авторов, удовлетворительны с точки зрения рабочего процесса, происходящего в колесе при работе па газожндкостных смесях. [9]
Этот метод образования области изменения аналитической функции из полуплоскостей не годится в общем случае и его видоизменяют, составляя область из кружков однолистных и многолистных. Ограничиваясь для простоты однозначными функциями, рассмотрим функцию / ( г), аналитическую в некоторой области G, и пусть а - какая-либо конечная точка области. Если / ( а) Ф 0, то можно выбрать настолько малую окрестность точки а, что в ней функция f ( z) будет однолистна. [10]
Исследован механизм образования области уплотнения концентрации заряженных частиц ионосферной плазмы газовой струей реактивного двигателя КА. Проведено моделирование процесса диффузии ионов ионосферной плазмы внутрь газовой струи КА в приближении химически не реагирующих газов струи и ионосферы. Результаты расчетов показывают, что максимум относительного возмущения концентрации ионов располагается в области, прилегающей к границе струи. Эффект накопления ионов объясняется увязанием ионов в газовой струе за счет их столкновений с нейтральными частицами плотного газа струи. С уменьшением отношения массы иона к массе нейтральной частицы размеры возмущенной области увеличиваются, что объясняется тем, что легкие ионы дольше сохраняют энергию при столкновениях с массивными нейтральными частицами и дальше проникают внутрь струи. Увеличение плотности газовой струи приводит к возрастанию числа столкновений ионов с нейтральными частицами струи и к росту величины максимума относительного возмущения концентрации ионов. [11]
Исследован механизм образования области уплотнения концентрации заряженных частиц ионосферной плазмы газовой струей реактивного двигателя КА. Проведено моделирование процесса диффузии ионов ионосферной плазмы внутрь струи выхлопных газов КА в приближении химически не реагирующих газов струи и ионосферы. Результаты расчетов показывают, что максимум относительного возмущения концентрации ионов располагается в области, прилегающей к границе струи. Эффект накопления ионов объясняется увязанием ионов в газовой струе за счет их столкновений с нейтральными частицами плотного газа струи. С уменьшением отношения массы иона к массе нейтральной частицы размеры возмущенной области увеличиваются, что объясняется тем, что легкие ионы дольше сохраняют энергию при столкновениях с массивными нейтральными частицами и дальше проникают внутрь струи. [12]
 |
Интегральная схема. г з i 4 s в. [13] |
В общих чертах образование областей п и р-проводимостей выглядит как последовательное наращивание слой за слоем полупроводникового кристалла. При образовании каждого нового слоя изменяют тип и концентрацию примеси, которая в него включается. Слои могут быть сплошными и разделенными на участки. В нужных местах наносятся металлические пленки, которые выполняют роль соединительных проводников. В практических схемах элементы компонуются в плоскости. Единым технологическим процессом могут быть созданы одновременно сотни элементов ( транзисторов, диодов, резисторов), что значительно больше, чем в какой-либо другой конструкции промышленной электронной аппаратуры. [14]
С чем связано образование области пространственного заряда в диэлектрической пленке при прохождении через нее тока. [15]
Страницы: 1 2 3 4