Образование - плазма
Cтраница 2
При анализе возможности образования газовой плазмы рассматривается термодинамический баланс энергии в диэлектрике. Внутренняя часть потока носителей заряда может быть рассмотрена как бы находящейся внутри внешней области, выполняющей роль оболочки, препятствующей обмену энергией между внутренней областью и веществом диэлектрика вне ее. Такая адиабатическая модель позволяет считать, что кинетическая энергия носителей заряда затрачивается только на изменение внутренней энергии диэлектрика в этой области. При этом для каждого диэлектрика имеет место такое минимальное значение необходимого изменения внутренней энергии единицы объема диэлектрика Ас, при котором возникает начальный участок канала неполного пробоя. Таким образом, величина Ас может рассматриваться как энергетический критерий пробоя диэлектрика. [16]
Недаром этот процесс образования холодной молекулярной плазмы при низких температурах во всем объеме образца и вызывает эффективные превращения - веществ с высокой скоростью. Действительно, размол в вибромельницах твердых мономеров не вызывает полимеризации, поскольку не хватает механических сил для разрыва связей в мономере ( кроме ионных солей мономеров, инициируемых по иному механизму), и необходима именно макромолекула определенной протяженности ( М00), чтобы суммарные механические силы могли вызвать механокрекинг. [17]
Основную роль в образовании квазинейтральной плазмы ионного пучка ( синтезированной плазмы) играют электроны, появляющиеся в ионном пучке в результате ионизации остаточного газа быстрыми ионами. Образующиеся вторичные ионы выталкиваются из пучка электрическим полем, а электроны остаются в пучке, если к этому созданы условия. [18]
В электрической дуге происходит образование плазмы под действием электрического разряда и высокой температуры. Однако температура дуги при атмосферном давлении не превышает 5000 - 5600 С, поэтому газовая оболочка дуги не полностью ионизирована. Если же сжать дугу давлением газа, температура в центральной части дуги возрастет до 10 000 - 50 000 С, так как газ плазмы почти полностью ионизируется. [19]
В случае использования для образования плазмы двухатомного газа в холодной зоне плазменной дуги, помимо энергии ионизации, выделяется энергия диссоциации, что ведет к увеличению размеров дуги. Это в свою очередь обусловливает увеличение пути и, следовательно, времени нахождения напыляемой частицы в потоке и обеспечивает ее расплавление при меньшей температуре потока. Вследствие выделения энергии диссоциации при использовании двухатомного газа возрастает и количество тепла, передаваемого поверхности обрабатываемого изделия. Поэтому если желателен минимальный нагрев поверхности, необходимо использовать одноатомные газы, скажем аргон, или смеси на их основе. [20]
 |
Теплопроводность видорода, гелия, аргона и азота в зависимости от температуры.| Вольтамперные характеристики плазменной дуги в разных газах. [21] |
Имеется отличие в процессе образования плазмы двух - и одноатомного газов. [22]
 |
Зависимость энтальпии различных газов от температуры при диссоциации и ионизации.| Вольт-амперные характеристики плазменной струи в различных газах. [23] |
Имеется отличие в процессе образования плазмы двух - и одноатомного газов. Их энтальпия при указанных температурах примерно соответствует теплосодержанию аргона при 14 000 К, а гелия - при 20 000 К-Таким образом, крутой подъем кривой ДЯ f ( T) в области диссоциации позволяет плазме содержать большие количества теплоты при сравнительно низких температурах. [24]
Процессы, приводящие к образованию плазмы. [25]
Эта ионизация кладет начало образованию плазмы в столбе дуги. [26]
Процессы, приводящие к образованию плазмы. [27]
Источник питания и горелка обеспечивают образование плазмы в виде иглы, что позволяет получать узкие сварные швы при малой зоне термического влияния. Малая зона термического влияния значительно снижает образование деформаций свариваемого металла. [28]
 |
Необходимые рабочие условия для механических систем преобразования энергии.| Электродинамическое тяговое устройство. [29] |
Электрические тяговые устройства зависят от образований плазмы, которая представляет собой электрически нейтральную газообразную смесь электронов, ионов и нейтральных частиц. [30]
Страницы: 1 2 3 4