Диаметр - пластина
Cтраница 1
Диаметр пластины относится к слабоуправляемым факторам, так как получение пластины большого диаметра ограничено техническими возможностями и уровнем развития отрасли. Но общая тенденция при изготовлении пластин направлена на последовательное увеличение их диаметра, так как при этом лучше используется оборудование ( например, диффузионное, фотолитографическое) и достигается высокая эффективность групповой обработки, что позволяет уменьшить удельные затраты, приходящиеся на приборный кристалл. [1]
 |
К, Ср-калориметр. [2] |
Диаметры пластины и стержня составляют 10 - 25 мм. Обогрев их осуществляется за счет притока тепла от основания блока. Тепловой поток, проходящий через пластину, может быть найден по скорости нагревания пластины и стержня и по их удельным теплоемкостям. При этом теплообмен пластины и стержня с охранным колпаком принимается пренебрежимо малым. [3]
Чем больше диаметр пластин, тем больше их толщина, необходимая для обеспечения механической прочности. Поскольку СБИС выполняются на пластинах большого диаметра, то процент бракованных СБИС при механическом екрайбировании и раскалывании особенно велик. Для СБИС более пригодны немеханические способы разделения. Другим способом является сквозное анизотропное травление пластин. Немеханические методы обеспечивают значительно меньший брак и лучше поддаются автоматизации. [4]
Необходимость увеличения диаметра пластин продиктована, прежде: его, экономическими соображениями. Чтобы сделать процесс произ-эдства УСБИС рентабельным, необходимо, чтобы в пределах площа-и одной пластины умещалось по крайней мере сто чипов, размер ко-эрых возрастает по мере перехода к УСБИС все большей сложности, азумные оценки показывают, что, если на смену пластинам диаметром 50 мм пришли пластины диаметром 200 мм, то на смену последним олжны прийти уже пластины диаметром 300 мм. Следующим за этим кономически оправданным диаметром пластин должен стать диаметр 50 мм. Ужесточение других качественных показателей пластин связано, одной стороны, с необходимостью удовлетворения требованиям совре-генных процессов литографии, а с другой - с необходимостью резкого нижения уровня шумов в условиях существенного ограничения допус-имых рабочих токов и напряжений в УСБИС повышенной сложности постоянно уменьшающимися размерами и увеличивающейся плотное-ью упаковки рабочих элементов. [5]
По мере увеличения диаметра пластин возрастает и их толщина, тем самым увеличивается диффузионный путь, который должны преодолеть атомы загрязняющих примесей, перемещаясь из активной области приборной структуры к геттеру. Соответственно, процесс геттерирования с размещением геттера на обратной стороне пластины становится все менее эффективным и требует все возрастающих энергетических и временных затрат. Необходимо найти возможность формирования геттера внутри пластины в непосредственной близости от области, где расположена сама приборная композиция. И такая возможность была найдена. [6]
 |
Распределение толщины эпи - [ IMAGE ] Распределение удельного. [7] |
Все измерения проводились по диаметру пластин в двух направлениях: вдоль потока газовой смеси и перпендикулярно ему. [8]
 |
Схема измерения поверхностного сопротивления четырехзондовым методом. [9] |
Обычно s 1 мм, диаметр пластин Z) 40 - 60 мм. [10]
 |
Картины интерференционных полос, полученные при естественном освещении поверхности трения.| Картины интерференционных полос, полученные при монохроматическом освещении кольца пары трения. [11] |
Контроль плоскостности поверхности, имеющей диаметр больше диаметра пластины ПИ, проводят по отдельным участкам, перекрывая один участок другим последовательной перестановкой пластины ПИ. [12]
Толщина пластины 1 ограничивается своей механической прочностью и диаметром пластины. [14]
Поэтому можно принимать, что примерно на высоте шести диаметров пластины начинается основной участок тепловой струи. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5