Образование - твердый раствор - замещение
Cтраница 4
В случае образования твердых растворов замещения изменение параметра решетки зависит от соотношения величин атомных радиусов алюминия и растворяющегося в нем элемента. [46]
 |
Диаграмма состояния системы AlSb-OaSb. [47] |
Исследованием было установлено образование твердых растворов замещения по квазибинарному разрезу AlSb-GaSb. Диаграмма плавкости ( рис. 22) имеет вид, характерный для твердых растворов замещения 1-го типа по Розебуму. [48]
Наибольшей склонностью к образованию твердых растворов замещения обладают металлы, благодаря особенностям металлической связи, обезличивающим внешнюю электронную оболочку. Примерами сплавов замещения являются латунь Си-Zn, бронза Си-Sn, инвар Fe-Ni, нихром Ni-Cr, дюралюминий А1 - Си-Mg, мельхиор Си-Ni и многие другие сплавы. Твердые растворы внедрения образуются при сплавлении некоторых металлов с легкими элементами Н, О, N, С, В. Примером твердого раствора внедрения является углеродистая сталь - сплав железа с углеродом. [49]
Свойство компонентов к образованию твердых растворов замещения зависит от природы химической связи и в пределах одного ее типа от сходства кристаллического строения. Образованию твердых растворов замещения компонентами с металлической природой связи способствуют сходство кристаллической структуры ( одинаковый тип симметрии кристаллической решетки), близость параметров кристаллической решетки, близость атомных радиусов. [50]
 |
Схема различных механизмов цяфз фузии в металлах. [51] |
В металлах при образовании твердых растворов замещения диффузия преимущественно осуществляется по вакансионнсму механизму. Убедительным подтверждением вакансионного механизма диффузии является эффект Киркендалла, который был обнаружен в опыте, описанном ниже. [52]
 |
Микроструктура твердого раствора ( Mg-Al. [53] |
Размеры решетки растворителя при образовании твердого раствора замещения, в зависимости от атомных размеров растворенного вещества, или увеличиваются или уменьшаются. При образовании твердого раствора внедрения параметр решетки всегда возрастает. [54]
Для Se и Те характерно образование твердых растворов замещения. При закалке их расплавов в воде образуются стекла, содержащие до 15 % ( ат. [55]
С точки зрения физико-химического анализа процесс образования твердых растворов замещения, например простого вещества В в А и А в В, подчиняется весьма общим закономерностям, причем электронное строение А и В отражается на ширине области гомогенности и на общем виде диаграммы состояния ( см. § IV. Физико-химическая же теория полупроводников позволяет ожидать ряда тонкостей в их поведении, что мы рассмотрим на примере простых веществ. [56]
Связаны ли и всегда ли связаны границы образования твердых растворов замещения с различиями в величине атомных радиусов растворителя и растворенного. Насколько такой подход оправдан. [57]
Кроме абсолютных размеров атомов ( ионов) для образования твердых растворов замещения ( особенно для проявления совершенного изоморфизма) требуется также примерное совпадение размеров элементарных ячеек и совпадение или сходство структурных типов ( форм элементарных ячеек) веществ, участвующих в образовании твердых растворов. [58]
При различии в атомных размерах более 15 % образование твердых растворов замещения становится практически невозможным. [59]
Наличие ковалентной связи в полупроводниковых соединениях определяет специфику образования твердых растворов замещения [3] в отличие от металлических систем. Двойные соединения ZnSb и CdSb являются полупроводниками [5-7] с весьма ценными свойствами и находят применение в качестве материала для термоэлементов. Эти соединения имеют ромбическую решетку. Для неравновесных сплавов ( двадцатичасовой отжиг, [8]) квазибинарного разреза ZnSb - CdSb получены экспериментальные значения свойств при составе 1: 1 по электропроводности, подвижности, магнитной восприимчивости и термоэдс. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5