Образование - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Образования кристаллической решетки при электролизе со ртутным катодом не происходит, и, следовательно, процесс не связан с энергетическими затратами, неизбежными при образовании новой поверхности кристалла. [1]
 |
Влияние дефектов кристаллической решетки на прочность металлов.| Кривые охлаждения. [2] |
Образование кристаллической решетки при затвердевании жидкого металла называется процессом кристаллизации. На рис. 24, а показана кривая охлаждения кристаллического тела, горизонтальный участок на которой соответствует собственно процессу кристаллизации. [3]
Образование кристаллической решетки атомами металлов обусловлено наличием между ними металлической связи. Сущность ее заключается в следующем. Согласно теории металлического состояния, у всех или некоторых атомов, расположенных в узлах кристаллической решетки, отдельные валентные электроны, находящиеся на наружной электронной оболочке, отрываются и свободно перемещаются между образовавшимися при отрыве электронов положительно заряженными ионами и сохранившимися нейтральными атомами, образуя электронный газ. Эти электроны при непрерывном перемещении в кристаллической решетке одновременно притягиваются к нескольким положительно заряженным ионам, что и обеспечивает металлическую связь между ними. [4]
Образование кристаллической решетки сопровождается уменьшением запаса внутренней энергии тела. [5]
 |
Схема строения металла. В узлах решетки находятся положительно заряженные ионы металла, а в промежутках - свободные электроны. [6] |
Образование кристаллической решетки и характер ее обусловливаются наличием определенного рода связи между металлическими атомами. Атомы металла образуют кристалл благодаря наличию так называемой металлической связи. [7]
Образование кристаллической решетки атомами металлов обусловлено наличием между ними металлической связи. Сущность ее заключается в следующем. Согласно теории металлического состояния, у всех или некоторых атомов, расположенных в узлах кристаллической решетки, отдельные валентные электроны, находящиеся на наружной электронной оболочке, отрываются и свободно перемещаются между образовавшимися при отрыве электронов положительно заряженными ионами и сохранившимися нейтральными атомами, образуя электронный газ. Эти электроны при непрерывном перемещении в кристаллической решетке одновременно притягиваются к нескольким положительно заряженным ионам, что и обеспечивает металлическую связь между ними. [8]
После образования кристаллической решетки по всему сечению шва доминирующее значение приобретают диффузионные процессы в твердой фазе, протекающие по двум противоположным законам: выравниванию химического состава и восходящей диффузии, обусловленной химическим сродством элементов друг к другу. Последнее приводит к тому, что углерод, имеющий малый диаметр атома и большую скорость диффузии, диффундирует в зоны, где его концентрация максимальна, но имеются малоподвижные карбидообразующие элементы. Главное значение в этом процессе имеет скорость диффузии отдельных элементов в объемах с ГЦК - и ОЦК-решетками. При всех температурах диффузионная подвижность углерода в Fe-a заметно выше, чем в более плотноупакованной решетке Fe - y, а коэффициент диффузии углерода в Fe-a выше, чем в Fe - y, при 900; 755 и 500 С соответственно в 39; 126 и 835 раз. [9]
После образования кристаллической решетки по всему сечению шва доминирующее значение приобретают диффузионные процессы в твердой фазе, протекающие по двум противоположным законам: выравнивания химического состава и восходящей диффузии, обусловленной химическим сродством элементов между собой. Последнее приводит к тому, что углерод, имеющий малый диаметр атома и большую скорость диффузии, диффундирует в зоны, где его концентрация выше, но имеются малоподвижные свободные карбидообразующие элементы. [10]
Теплота образования кристаллической решетки из ионного пара может быть найдена более точно, если дополнительно учесть взаимную поляризуемость ионов соли. [11]
Теплота образования кристаллической решетки из ионного пара может быть найдена более точно, если дополнительно учесть взаимную поляризуемость ионов соли. [12]
Энергия образования кристаллических решеток из газообразных ионов типа Na и С1 - составляют значения порядка сотен кДж / моль, что значительно превышает значения энергии образования молекул типа NaCl в газовой фазе. [13]
С образованием кристаллической решетки в реальных кау-чуках существенно меняется характер деформации. [14]
При образовании кристаллической решетки из атомов Л и В не была учтена кинетическая энергия валентных электронов. Из данных, приведенных в табл. 1, следует, что если электронное сродство приближается по величине к энергии сцепления, эта кинетическая энергия погашается действием кулонов-ских сил притяжения, возникающих при переводе электрона от атома А к атому В. В щелочногалоид-ных соединениях кинетическая энергия вносит существенный вклад в энергию сцепления. [15]
Страницы: 1 2 3 4