Образование - инверсионный слой
Cтраница 1
Образование инверсионного слоя фиксировалось по плавающему потенциалу на эмиттере при условии, что трещина одновременно проходит через эмиттерный и коллекторный переходы. [1]
Чем определяется толщина области пространственного заряда в случае образования инверсионного слоя. [2]
Иначе говоря, потенциал должен изменяться так, как это необходимо для образования инверсионного слоя, но изменение потенциала, будучи велико по сравнению с kT / e, все же настолько мало, чтобы в действительности инверсионный слой еще не образовался. Эти условия лучше всего выполняются в р-и-псреходе, на который наложено обратное смещение. [3]
 |
Образование инверсионного слон. [4] |
Для образца - типа проводимость увеличивается при ф8 0, при cps 0 она проходит через минимум и снова возрастает после образования инверсионного слоя. Минимуму поверхностной проводимости соответствует фй, Eg - 2EF - f - kT In Ь, где Ъ - отношение подвижностей электронов и дырок. [5]
С увеличением степени легирования полупроводника К уменьшается и положение минимума смещается влево, что и понятно, ибо чем сильнее легирован полупроводник, тем ближе ко дну зоны проводимости располагается уровень Ферми, тем больше нужно изогнуть зоны для образования инверсионного слоя. [6]
Наибольшая высота потенциального барьера получается при металлич. Для образования инверсионного слоя необходима возможно большая плотность поверхностных состояний, к-рая также в значит, степени зависит от природы металла контакта. [7]
Поверхностный барьер охватывает слой кристалла толщиной около 2 5 мк. Для образования инверсионного слоя необходима возможно большая плотность поверхностных состояний. Экспериментально обнаружено, что лрирода металла оказывает значительное влияние на плотность электронных поверхностных уровней. Наибольшая высота потенциального барьера получается при использовании в качестве металлических контактов индия, цинка, кадмия, олова и меди. [8]
 |
Схема распространения дымовых струй, выбрасываемых. [9] |
Особенно интенсивно приземная инверсия формируется во время ясной морозной погоды. Способствуют образованию инверсионного слоя и антициклоны, при которых происходит сжатие нижнего слоя воздуха с выделением тепла в окружающую среду. [10]
 |
Положение области пространственного заряда в р - п-переходе. [11] |
Каналы легче образуются на высокоомном кристалле. В этом случае для образования инверсионного слоя требуются сравнительно малые изгибы энергетических зон. [12]
 |
Зонная диаграмма контакта, при котором образуется инверсионный слой. [13] |
В целом, как видим, получился р-п переход, полностью расположенный внутри исходной пластинки полупроводника. С физической точки зрения образование инверсионного слоя объясняется тем, что электронов в зоне проводимости полупроводника ( в его граничном слое) оказывается недостаточно для равновесия системы и в металл должно перейти некоторое количество электронов из валентной зоны; в результате, естественно, образуются дырки. [14]
 |
КИД-структура. а - п. - р - л-транзистор. б - резистор в базовом слое. в - сжатый резистор. [15] |
Страницы: 1 2