Образование - обедненный слой
Cтраница 2
Вначале скорость диффузии равна нулю, так как концентрация молекул травителя у поверхности совпадает с этой величиной в объеме травителя. В результате травления концентрация у поверхности твердого тела снижается, что приводит к образованию обедненного слоя. [16]
В первый момент травления концентрация молекул травителя у поверхности кристалла совпадает с этой величиной в глубине раствора и скорость диффузии поэтому равна нулю. Скорость реакции травления при этом максимальна, так как концентрация молекул травителя вблизи поверхности имеет наибольшее возможное значение. В результате протекающего процесса концентрация молекул травителя у поверхности кристалла С падает, что приводит к образованию обедненного слоя и к уменьшению скорости реакции, а суммарная скорость диффузии при этом возрастает. [17]
 |
Энергетические диаграммы контакта металл - электронный полупроводник.| Зольтамперные характеристики перехода Шоттки ( 1 и р-п перехода ( 2. [18] |
Вследствие ухода электронов из приконтактного слоя полупроводника этот слой обедняется носителями заряда, и его сопротивление повышается. Ширина области пространственного заряда в полупроводниках составляет единицы микрометра, а в металлах - менее 10 - 4 мкм. Поскольку приконтактный слой полупроводника, обедненный носителями заряда, препятствует прохождению тока через контакт, он является запирающим. Очевидно, электрическое поле внешнего напряжения, совпадающее по направлению с внутренним полем, в случае запирающего слоя увеличивает ширину области пространственного заряда, а противоположно направленное поле уменьшает ее. Таким образом, при образовании обедненного слоя контакт металла с полупроводником приобретает выпрямляющие свойства, а вольтамперная характеристика такого контакта аналогична характеристике обычного р-п перехода. [19]
Страницы: 1 2