Образование - тонкая структура
Cтраница 1
Образование тонкой структуры при делении по Гленденину [56] и Паппасу [247] связано с преимущественным выходом осколков с замкнутой нейтронной оболочкой ( 7V 82) и протонной оболочкой ( Z50) и испусканием этими осколками надоболо-чечных нейтронов. Испускание запаздывающих нейтронов вызывает существенное перераспределение выходов и обусловливает появление тонкой структуры. Однако все случаи отклонения от плавного хода кривой выходов все же не могут найти объяснения на основании предложенного механизма этого процесса. [1]
Исследования образования тонкой структуры кокса в динамическом ходе процесса коксования углей показали, что формирование пористой структуры кокса, типичной для гелей, происходит до температуры 900 - 1000, сопровождается сжатием пор кокса и образованием трещин в его массиве. [2]
Остается решить вопрос, затрачивается ли определенная энергия для образования тонких структур в клетках и изменяется ли энергия клеточных образований при переходе клеток из живого состояния в мертвое. [3]
 |
Кривые деформации стали Н-11 после ТМО ( деформация 8ССЛ и отпуска ( слева и после дополнительного деформационного 2 % старения. [4] |
Неоднократное проведение операции с использованием пластической деформации и фазовых превращений вызывает образование очень тонкой структуры отпущенного мартенсита. Наряду с высокой Прочностью сохраняется высокая пластичность. [5]
Описанные изменения внутренней поверхности и сорбционных свойств кокса непосредственно связаны с образованием тонкой структуры кокса. [6]
Минеральные вещества, находящиеся в углях в малом количестве, по-видимому, не оказывают заметного влияния на процесс образования тонкой структуры кокса. [7]
Радиоактивные изотопы, дающие длиннопробежные а-части-цы, также создают у-излучение, которое в отличие от - случая, приводящего к образованию тонкой структуры, принадлежит не конечному ядру, а исходному. [8]
Это, по-видимому, связано с образованием в первичных сплошных пластинках гидроокиси магния, определяющих ее скелет, множества тонких трещин, заполняющихся без гистерезиса. Образование тонкой структуры происходит в результате выделения воды из пластинок гидроокиси и перестройки кристаллической структуры. Неизменность величины адсорбционной пленки S, а также кривой распределения объема пор по размерам при переходе гидроокиси в окись магния при 350 С указывает на то, что структура крупных пор - зазоров между пластинками гидрата окиси магния - при этом не разрушается. Таким образом, образец при этой температуре прокаливания обладает бидисперслой структурой. [10]
Это, по-видимому, связано с образованием в первичных сплошных пластинках гидроокиси магния, определяющих ее скелет, множества тонких трещин, заполняющихся без гистерезиса. Образование тонкой структуры происходит в результате выделения воды из пластинок гидроокиси и перестройки кр исталличе-ской структуры. Неизменность величины адсорбционной пленки 5, а также кривой распределения объема пор по размерам при переходе гидроокиси в окись магния при 350 С указывает на то, что структура крупных пор - зазоров между пластинками гидрата окиси магния - при этом не разрушается. Таким образом, образец при этой температуре прокаливания обладает бидисперслой структурой. [12]
Солнце), не проявляли должного интереса, когда ем - относительно мало. Проблема образования тонкой структуры магнитного поля на Солнце вообще является, по-видимому, ведущей в физике Солнца. Wyller, 1987, и др. показали, что изучение тонкой структуры может быть ведущим в изучении природы, как солнечных явлений, так и общего понимания Солнца как звезды. Мы попытаемся, в пределах наших возможностей, показать, что это именно так. [13]
Понятие о структуре кокса было уже сформулировано в главе VII во второй части настоящей работы. Там же были подробно разработаны наши представления о процессе образования тонкой структуры кокса. В этой части мы рассмотрим, как влияют условия образования тонкой структуры п ее изменения на структуру более крупного массива кокса, например коксового пирога и отдельных кусков кокса. [14]
 |
Изменения величин Т и R в области максимума в случае прозрачного кристалла. [15] |
Страницы: 1 2