Образование - цепочечная структура
Cтраница 2
В первую очередь это связано с легкостью гидролиза соответствующих ионов, с образованием полимерных цепочечных структур в недостаточно кислых растворах, в которых обычно развиваются соответствующие цветные реакции. [16]
 |
Зависимость термо - э. д. с. теллуридов германия и олова в твердом и жидком состояниях от температуры. [17] |
Характер скачка при плавлении сульфида свинца аналогичен наблюдавшемуся А. Р. Регелем [3] для селенида ртути. Что касается остальных соединений данной группы, то нам представляется более вероятной возможность образования цепочечной структуры типа - А - В - А - В - с образованием носителей заряда на концах цепочек. Рост электропроводности при плавлении соединений AIVBVI ( исключая PbS) свидетельствует об увеличении концентрации носителей заряда, поскольку едва ли можно ожидать увеличения подвижности при переходе к значительно более дефектной структуре, которой отличается расплав от кристалла. [18]
Уровень существующей экспериментальной техники не позволяет однозначно установить, связано ли скачкообразное уменьшение удельного объемного сопротивления с моментом возникновения контакта между частицами электропроводящего наполнителя, вследствие чего образуются токопроводящие микропути, или со сближением частиц на расстояния, величина которых достаточна для реализации туннельного эффекта. Наряду с этим установлено, что во всех случаях удельное объемное сопротивление скачкообразно уменьшается тогда, когда в результате большой концентрации частиц или благодаря образованию цепочечных структур при их сближении обеспечивается прохождение тока. Расположение частиц наполнителя, при котором образуются цепочки, простирающиеся от одного электрода к другому, наиболее целесообразно для достижения требуемой электропроводности. Однако для образования цепочечных структур необходимо определенное взаимодействие частиц между собой и со связующим полимером, а также определенное внешнее механическое, электрическое или магнитное воздействие. [19]
Ввиду этого представлялось интересным исследовать электрические свойства компаунда с введением бинарного наполнителя, в котором в качестве второго компонента были использованы сажа и графит. Значительное снижение р наполненной композиции наблюдается для системы Zn-графит, ввиду того, что оба компонента имеют анизодиа-метрическую форму частиц разной дисперсности и что данное соотношение графита с Zn, вероятно, достаточно для создания токопроводя-щих мостиков между частицами металла. Для системы Zn-сажа наблюдаемый эффект менее выражен, что связано с плохой смачиваемостью наполнителя компаундом и, возможно, сажа не склонна к образованию цепочечных структур в данной системе. Па основании полученных результатов была выбрана оптимальная система: компаунд, содержащий 60 масс. % графита. [20]
В основном состоянии атомы серы имеют конфигурацию ЗзгЗр с двумя неспаренными электронами. При этом возникает возможность либо образования кратной связи в молекуле S2, либо одинарной связи в цепочечных структурах. В случае кислорода р-р л-связи сравнимы по энергии с р-р сг-связыо и образование кратной связи в молекуле дает больший выигрыш в энергии, чем образование цепочечных структур. [21]
Уровень существующей экспериментальной техники не позволяет однозначно установить, связано ли скачкообразное уменьшение удельного объемного сопротивления с моментом возникновения контакта между частицами электропроводящего наполнителя, вследствие чего образуются токопроводящие микропути, или со сближением частиц на расстояния, величина которых достаточна для реализации туннельного эффекта. Наряду с этим установлено, что во всех случаях удельное объемное сопротивление скачкообразно уменьшается тогда, когда в результате большой концентрации частиц или благодаря образованию цепочечных структур при их сближении обеспечивается прохождение тока. Расположение частиц наполнителя, при котором образуются цепочки, простирающиеся от одного электрода к другому, наиболее целесообразно для достижения требуемой электропроводности. Однако для образования цепочечных структур необходимо определенное взаимодействие частиц между собой и со связующим полимером, а также определенное внешнее механическое, электрическое или магнитное воздействие. [22]
Существует ли взаимосвязь между склонностью серы участвовать в реакциях дисмутации ( Щ) и кон-мутации ( Пб) и кислотностью среды. Как зависит способность серы к катенации ( образованию цепочечных структур) от рН среды. [23]
Из таблицы следует, что максимальный эффект снижения р достигнут в случае графита. При содержании наполнителя 60 масс. % р изменяется от 1 2 - 10й до 45 6 Ом см, что объясняется возникновением непрерывных цепочечных структур графита во всем объеме полимера. Дальнейшее увеличение содержания наполнителя до 80 масс. % практически не влияет на р системы. В случае А1 и Zn при содержании 80 масс. % ( достигает соответственно 10 и И) 6 Ом-см, что обусловлено разной степенью окисления металлов и тем, что окисная пленка на поверхности частиц препятствует образованию цепочечных структур. [24]
Таким образом, пространственная структура а - Те02 является ассим-метрично упорядоченной вследствие односторонней направленности связей Те-О. Это, по-видимому, является причиной того, что чистая Те02 стекла не дает. При введении щелочных окислов происходит ионизация мостиковых кислородных атомов: 2TeOy, R. ТеОз / 0 - Щ, причем сохраняется пространственная увязашюсть структуры через три мостиковые связи, а ионизированные структурные комплексы ТеСЬ / 0 - приобретают большую возможность взаимного смещения, чтобы удовлетворить требованиям образования бесконечной пространственно неупорядоченной структурной сетки стекла. Образование цепочечных структур объясняет увеличение коэффициента расширения щелочнотеллуритных стекол, содержащих более 20 мол. [25]
Как уже отмечалось, электропроводность теллура при плавлении возрастает примерно в 20 раз. С повышением температуры она растет до 700 С. Выше 700 С ( при атмосферном давлении) электропроводность жидкого теллура не зависит от температуры. Перестройка структуры жидкого теллура, очевидно, сопровождается изменениями его потенциальной энергии и энтропии. Рост энтропии стабилизирует относительно более изотропную конфигурацию атомов типа простой кубической решетки. Этому противодействует возрастание потенциальной энергии системы. Потенциальная энергия минимальна при образовании цепочечной структуры, наблюдаемой у твердого теллура. [26]
Страницы: 1 2