Образование - твердое тело - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Дети редко перевирают ваши высказывания. В сущности они повторяют слово в слово все, что вам не следовало бы говорить. Законы Мерфи (еще...)

Образование - твердое тело

Cтраница 1


Образование твердых тел с характерными для них механическими свойствами также теснейшим образом связано с процессами, изучаемыми современной коллоидной химией в виде проблемы структурообразования в дисперсных системах ( суспензиях) и в растворах высокомолекулярных соединений, представляющих собой, соответственно, коагуляционные и конденсационные структуры.  [1]

Образование достаточно прочного твердого тела из конгломерата непрочно и временно связанных частиц или зерен ( сырца) - одна из отличительных особенностей спекания.  [2]

Образование твердых тел типа цементных бетонов и других строительных материалов с использованием минеральных вяжущих веществ - цемента, извести, гипса - происходит путем кристаллизационного структурообразования на основе первоначальной коагуляционнои структуры в концентрированных суспензиях - дисперсных смесях из порошка цемента и инертного заполнителя с водой. Коагуляционные структуры образуются сцеплением частичек твердой фазы через тонкие остаточные прослойки жидкой дисперсионной среды. Поэтому прочность таких структур, обусловленная весьма слабыми вандерваальсовыми взаимодействиями, очень мала по сравнению с прочностью конечной кристаллизационной структуры - плотного поликристаллического сростка, который образуется непосредственным срастанием друг с другом кристалликов гидратных новообразований, выделяющихся из пересыщенного водного раствора.  [3]

При образовании твердого тела из отдельных атомов и молекул происходит следующее. Состояния электронов, движущихся вокруг отдельных ядер на внутренних электронных оболочках, практически не меняются. Что же касается внешних электронных оболочек, то они в рез / льтате сближения отдельных атомов и возникающего при этом сильного взаимодействия между электронами перестраиваются.  [4]

При образовании твердого тела из отдельных атомов и молекул происходит следующее.  [5]

При образовании твердого тела соседние атомы настолько между собой сближаются, что внешние электронные оболочки не только соприкасаются, но даже перекрываются. В результате характер движения электронов резко изменяется: электроны, находящиеся на определенном энергетическом уровне одного атома, получают возможность переходить без затраты энергии на соответствующий уровень соседнего атома и свободно перемещаться вдоль всего твердого тела.  [6]

При образовании твердого тела из отдельных атомов и молекул состояние электронов, движущихся вокруг отдельных ядер на внутренних электронных оболочках, не меняется, внешние же электронные оболочки в результате сближения атомов и возникающего сильного взаимодействия между электронами перестраиваются. Промежуточный случай, когда имеется наличие большого числа слабо связанных, почти свободных электронов, представляет собой полупроводник.  [7]

При образовании твердого тела из отдельных атомов состояние электронов, движущихся вокруг ядер на внутренних электронных оболочках, практически не меняется. Внешние же ( валентные) оболочки при сближении атомов сильно взаимодействуют, расщепляются и объединяются, образуя валентную зону разрешенных энергий твердого тела. В ряде твердых тел за этой зоной следует зона запрещенных энергий, далее - зона возможных энергий, в которой при температуре, равной абсолютному нулю, отсутствуют электроны.  [8]

При образовании твердого тела уровень 3s расщепляется в зону 3s ( рис. 3.3), в которой находится N электронов, заполняющих нижнюю половину зоны по два электрона на каждом уровне. В действительности у Na зона 3s перекрывается со свободной зоной Зр, некоторые уровни зоны Зр оказываются расположенными в нижней половине зоны 3s и часть электронов зоны 3s располагается на уровнях зоны Зр. Верхняя половина зоны оказывается пустой. Поэтому при приложении электрического поля электроны в этой зоне смогут перемещаться на более высокие энергетические уровни, приобретая направленное движение.  [9]

При образовании твердого тела из отдельных атомов и молекул состояние электронов, движущихся вокруг отдельных ядер на внутренних электронных оболочках, не меняется, внешние же электронные оболочки в результате сближения атомов и возникающего сильного взаимодействия между электронами перестраиваются. Промежуточный случай, когда имеется наличие большого числа слабо связанных, почти свободных электронов, представляет собой полупроводник.  [10]

При образовании твердого тела из изолированных атомов происходит перераспределение электронов, возникают силы, удерживающие атомы ( ионы) на определенном расстоянии друг от друга.  [11]

При образовании твердого тела из отдельных атомов и молекул происходит следующее. Состояния электронов, движущихся вокруг отдельных ядер на внутренних электронных оболочках, практически не меняются. Что же касается внешних электронных оболочек, то они в результате сближения отдельных атомов и возникающего при этом сильного взаимодействия между электронами перестраиваются. В одних случаях электроны продолжают удерживаться молекулами или ионами, которым они принадлежали. В этом случае подвижность электронов ограничена, и вещество представляет собой твердый диэлектрик, не способный проводить электрический ток, а лишь поляризующийся в электрическом поле. В других случаях электроны ( валентные), как уже отмечалось выше, освобождаются, приобретают подвижность в веществе.  [12]

В случае образования твердого тела при реакциях, центры кристаллизации будут образовываться так же, как и в свободной жидкости; но отсутствие перемешивания затруднит быстрый приток вещества, благодаря чему можно ожидать медленный, спокойный рост кристаллов, которые при этих условиях могут достигнуть значительных размеров.  [13]

В процессе образования твердого тела или жидкости атомы переходят из фазы с более интенсивным поступательным движением в фазу с более ограниченным движением. И хотя уровень кинетической энергии и там, и здесь одинаков ( Е 3 / 2RT0 для поступательной энергии 1 моля вещества), в низкотемпературной фазе движение сопоставимо с потенциальной энергией взаимодействия, которая обусловливает среднее межатомное расстояние. Как только атом присоединяется к поверхности ( рис. 16, о), он теряет часть энергии поступательного движения и начинает совершать колебания под воздействием сил межатомного взаимодействия. Избыток кинетической энергии передается частицам окружающей фазы и ее атомы приобретают допол-1 нительный стимул и большую интенсивность поступательного движения. Одновременно на поверхность раздела обрушивается град ударов, которые могут снова оторвать присоединившийся к поверхности атом. Если температура близка к температуре плавления, то так и происходит. Некоторые атомы присоединяются к поверхности, но такое же количество под воздействием окружающих атомов снова отрывается и уходит в среду с меньшей энергией взаимодействия.  [14]

15 Распределение электронов согласно статистике Ферми для полупроводников. [15]



Страницы:      1    2    3    4