Образование - ус
Cтраница 2
При разбуртовке торца малого отверстия ( вид з) диаметр d большого отверстия должен быть не менее диаметра d разбуртовки. Во избежание образования непрочных усов диаметр Ог черной поверхности бобышки должен превышать диаметр d развертки не менее чем на 8 - 10 мм. [16]
 |
Обработка бобышек в корпусах. [17] |
При разбуртовке торца малого отверстия ( вид з) диаметр d большого огверстия должен быть не меньше диаметра d разбуртовки. Во избежание образования непрочных усов диаметр Dt черной поверхности бобышки должен превышать диаметр d развертки не менее чем на 8 - 10 мм. [18]
Наплавку отверстий рекомендуется производить одним из способов - автоматическим, под слоем флюса с поперечными колебаниями электрода или ручной дуговой сваркой поперечными валиками на всю толщину стенки. Эти способы позволяют свести действие факторов, способствующих образованию усов и шлаковых включений в зонах, примыкающих к зазорам, до минимума. Автоматический метод применяется для наплавки поверхности отверстий диаметром более 200 мм, выполненных в виде цилиндра или усеченного конуса. При меньших диаметрах и Х - образной разделке используется ручная дуговая сварка электродами диаметром 5 мм с применением повышенных режимов. Для автоматической наплавки ИркутскНИИхиммашем разработан специализированный наплавочный автомат, позволяющий производить за один проход наплавку шириной до 250 мм. [19]
Большое влияние на величину сегрегации оказывают газы. Газовыделение в процессе кристаллизации слитка усиливает развитие химической неоднородности и является одной из главных причин образования усов. Нитевидный характер усов объясняется всплыванием объемов стали с сегрегатами, где происходит наибольшее газовыделение. [20]
 |
Образование трещины под Х ЛИТ процесс, невысока, то действием нормальных напряжений головная дислокация у барьера остановится, движущаяся. [21] |
Итак, предел прочности твердых тел еще далек, и нужна огромная и кропотливая работа для его достижения. Эта работа, в частности, касается развития количественной теории дислокаций, требует окончательной разгадки механизма образования усов, изучения влияния малых примесей на процессы деформации и разрушения. Злободневной проблемой является проблема получения материалов особой чистоты, поскольку большинство физических свойств твердых тел ( не только механических) определяется присутствующими в них примесями. [22]
Бреннер [ Brenner, 1963 ] описывает этот процесс и приводит таблицу, в которой сведены данные по образованию усов Си, Fe, Ag, Ni, Co, Mn и MngSi. Галоидные соли нагреваются в потоке водорода до температуры, при которой они достаточно летучи. При этом они реагируют с водородом, давая пересыщенные пары металла, из которых могут осаждаться усы. Иногда галогениды дают усы при непосредственном термическом разложении, как в случае золота, платины и палладия. [23]
Механизм роста нитевидных кристаллов Сире связывает с особо большой ролью дислокаций [ особенно винтовых дислокаций ( см. 10.3.2) ], которые расположены в направлении оси нитевидного кристалла. Таким образом, на свободной торцовой грани кристалл растет по спиралям, в то время как боковые грани усов растут только через образование плоских зародышей. Следовательно, для образования усов переохлаждение должно быть меньше критического, при котором происходит рост кристалла через двухмерные зародыши. Отсюда вытекает, что ограничивающими поверхностями усов являются основные грани роста, которые растут от плоских зародышей. В большинстве случаев они действительно наблюдаются экспериментально как ограничивающие элементы. [24]
При длительном хранении электролитически луженых деталей отмечаются случаи перекристаллизации покрытия в форме тонких игольчатых наростов ( усов), наличие которых может привести к неисправности точных приборов. Причины появления подобных дефектов еще недостаточно изучены. Установлено, что на образование усов в значительной степени влияет материал катода, поэтому для устранения возможности их образования рекомендуется осаждать олово на латунь по никелевому подслою. Легирование электролитического осадка олова свинцом, висмутом и некоторыми другими металлами также препятствует образованию нитевидных кристал - лов. Олово и его сплавы относятся к категории специальных покрытий и, учитывая высокую стоимость олова, лужение, так же-как и осаждение сплавов ПОС, имеет ограниченное применение. [25]
Усы часто вырастают в большом количестве на какой-нибудь подложке, например, на стенках сосуда или иногда на материнском кристалле. В последнем случае усы обычно являются частью решетки материнского кристалла. Немногое известно о причинах образования усов, так же как и о механизме их роста. Однако во многих случаях оказывается, что высокие скорости роста кончиков усов можно объяснить, только предположив, что усы растут за счет молекул, поступающих из адсорбционных слоев боковых граней. [26]
На рис. 101 - 104 показана микроструктура оловянных покрытий. Термообработка покрытия при 180 - 200 С уменьшает скорость образования усов, а повышение влажности окружающей атмосферы увеличивает ее. [28]
Значения Ах и ha можно примерно считать не зависящими от температуры. На примере разложения полимеров можно наглядно убедиться, что термодинамическое равновесие часто не успевает установиться. Если, допустим, полистироловый образец обдувать струей плазмы с теплосодержанием / в Ю4 кдж / кг, то при тепловом потоке qa 10 квт / м2 и давлении Ра 10 - 4 материал размывается с образованием длинных усов. [29]
Промышленное размножение земляники ведется выращиванием растений из усов. Листовые розетки, которые легко укореняются, образуются на втором узле уса. Эти окоренившиеся растения, в свою очередь, могут образовать новые усы. Образование усов в большей степени связано с фотопериодом. Обычно они начинают возникать, когда длина дня достигает 12 ч или больше. Находящиеся в периоде покоя растения выкапывают машинами осенью или весной. Некоторые виды земляники не образуют усов, а многие из ремонтантных сортов обычно образуют их сравнительно мало. Такие сорта можно размножать вегетативно путем деления куста, но количество посадочного материала получается значительно меньшее, чем при размножении усами. [30]
Страницы: 1 2 3