Образование - кристаллический центр - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если из года в год тебе говорят, что ты изменился к лучшему, поневоле задумаешься - а кем же ты был изначально. Законы Мерфи (еще...)

Образование - кристаллический центр

Cтраница 1


1 Линии уровня поверхности У при температуре плавления ( максимумы имеют равную высоту. Кривые С и L представляют геометрическое место точек касания плоскости, параллельной оси Ч. Штриховой участок кривой L соответствует области переохлажденной жидкости. Конечная точка на этой кривой отвечает касательной с вертикальным углом наклона SP - седловин-ная точка между максимумами. Пояснения физического смысла параметров V и в представлены в тексте. [1]

Образование кристаллических центров в переохлажденной жидкости может быть кинетически более затруднено в кластерах малых размеров. Это происходит, во-первых, из-за того, что вероятность нахождения в кластере примесного центра кристаллизации мала.  [2]

Рассматривая образование кристаллических центров в золотосодержащем рубиновом стекле как функцию тепловой обработки, Вейль [60] указывает, что рост этих вначале невидимых центров в кристаллы коллоидальных размеров может быть результатом двух различных процессов - рекристаллизации и коагуляции.  [3]

4 Растворимость нафталина в каменноугольных маслах. [4]

Интенсивность образования кристаллических центров зависит от степени охлаждения, скорости и способа перемешивания раствора, а также от содержания в нем примесей.  [5]

6 Макростроение поверхностного слоя литой сурьмы ( дендритное строение кристаллов, X 1. [6]

Различие скорости образования кристаллических центров и неодинаковые скорости их роста обусловливают различные размеры кристаллов в этих двух зонах.  [7]

Процесс кристаллизации проходит две стадии: 1) образование кристаллических центров ( зародышей кристаллов) и 2) рост кристаллов.  [8]

Цшиммер указал, что из двух факторов - скорости образования кристаллических центров и линейной скорости роста кристаллов реальное значение для практики имеет только скорость роста, получившая название кристаллизационной способности, и определяемая не только величиной максимальной скорости роста, но и шириной температурного интервала кристаллизации стекла.  [9]

Для проверки концепции, утверждающей, что расслоение в стекле является источником образования кристаллических центров в системе MgO - A12O3 - SiO2 - ТЮ2, Олберг и сотрудники [170] обрабатывали стекло состава: 56S1O2; 20А12Оз; 17MgO и 7ТЮ2 при 900 С в течение коротких периодов времени.  [10]

Исследуя рассеивающие свет неоднородности в стекле состава: 56SiO2; 20A12O3; ISMgO и 9ТЮ2) Маурер [157, 158] пришел к выводу, что каталитическое действие ТЮ2 заключается в образовании изотропных областей - эмульсий, одна из которых весьма неустойчива и легко кристаллизуется. Образование эмульсионных центров кристаллизации требует меньшей энергии активации по сравнению с образованием кристаллических центров в отсутствие расслоения. Таким образом, образование эмульсий с помощью ТЮ2 представляет собой путь, по которому следует система при ее кристаллизации. Подобная кинетика кристаллизации характерна только для многокомпонентных стекол.  [11]

В присутствии водяного пара кристаллизация метасиликата протекает быстрее, чем в сухой смеси, но даже и в этом случае форстерит образуется первым. Энергия активации образования ортосиликатов во всех системах, включающих щелочноземельные силикаты, меньше энергии активации образования метаси-ликатов, а скорость образования кристаллических центров и их рост вследствие относительной простоты структуры ортосиликатов больше скорости образования кристаллических центров метасиликатов, которые в своей структуре имеют длинные цепочки ( см. А.  [12]

В литературе приводятся разнообразные соображения, касающиеся влияния магнитного поля на процесс зародышеобразования. По данным И. Ф. Дом-никова большое значение следует придавать индуцированному электрическому току, возникающему при наложении магнитного поля; при этом нарушаются условия гидратации ионов и создаются благоприятные условия для их сближения и образования кристаллических центров.  [13]

В присутствии водяного пара кристаллизация метасиликата протекает быстрее, чем в сухой смеси, но даже и в этом случае форстерит образуется первым. Энергия активации образования ортосиликатов во всех системах, включающих щелочноземельные силикаты, меньше энергии активации образования метаси-ликатов, а скорость образования кристаллических центров и их рост вследствие относительной простоты структуры ортосиликатов больше скорости образования кристаллических центров метасиликатов, которые в своей структуре имеют длинные цепочки ( см. А.  [14]

15 Зависимость полупериода кристаллизации при - 26 SC образцов СКИ-3 от содержания гель-фракции. [15]



Страницы:      1    2