Образование - зародышевый центр
Cтраница 1
Образование зародышевых центров, способных к дальнейшему росту, облегчается с увеличением степени переохлаждения. Однако с увеличением степени переохлаждения уменьшается подвижность атомов в связи с увеличением вязкости среды. Это препятствует возникновению зародышевых центров. В конечном итоге зависимость возникающих зародышевых центров от степени переохлаждения можно изобразить кривой, имеющей максимум. [1]
Аналогичный эффект образования зародышевых центров и повышения максимальной светочувствительности вызывают и другие соединения, растворяющие галогениды серебра ( роданид калия, тиозинамин, сульфит натрия), если их вводить перед окончанием первого созревания. [2]
Процесс кристаллизации характеризуется двумя стадиями: образование зародышевых центров кристаллизации, дальнейший их рост. [3]
Случай, когда процессы лимитируются скоростью образования зародышевых центров новой фазы, является наиболее сложным в кинетике топохимических процессов. Для построения зародышевого центра - начального кристаллика новой фазы - необходимо преодолеть энтропийные препятствия для упорядочения некоторого числа атомов, минимально необходимого для образования устойчивого кристаллика, способного к дальнейшему росту. Необходимо также затратить значительную энергию, связанную с весьма значительной поверхностной энергией кристалликов столь малых, что практически все составляющие их атомы являются поверхностными. Источником этой необходимой избыточной энергии является энергия отклонения системы от термодинамически равновесных значений при данной температуре - так называемая энергия пересыщения. [4]
Процесс кристаллизации характеризуется двумя стадиями - образованием зародышевых центров кристаллизации и дальнейшим их ростом. [5]
При получении коллоидных частиц необходимо усиливать стадию образования мельчайших зародышевых центров и подавлять рост этих микрокристаллических агрегатов, приводящих к образованию более крупных кристаллов, так как размер кристаллов вещества не должен превышать размера коллоидных частиц. [6]
Эти материалы получают методом регулируемой кристаллизации из стекол специальных составов с незначительными добавками TiCb или солей светочувствительных металлов Ag, Аи, Си, необходимых для образования зародышевых центров кристаллизации, вокруг которых вырастают мириады микроскопически мелких кристаллов. [7]
Кроме стенок изложницы, на процесс кристаллизации оказывают огромное влияние твердые взвешенные тугоплавкие частицы примесей, находящихся в жидком сплаве. Эти частицы, являющиеся зачатками кристаллизации ( несамопроизвольное образование зародышевых центров), способствуют получению мелкозернистой структуры. [8]
 |
Зависимость поверхностного сопротивления ( а и Т КС ( б металлической пленки от толщины для участков с различной структурой. [9] |
Зародыши, захватывая вновь поступающие атомы, увеличиваются в размерах преимущественно в плоскости подложки и в меньшей степени перпендикулярно ей, образуя островки. Адсорбированные атомы обладают достаточно большой поверхностной подвижностью, и в результате ярко выраженные островки из материала пленки на подложке образуются спустя длительное время после образования зародышевых центров. В конце концов, эти островки сливаются и образуют непрерывную пленку, но это происходит после того, как средняя толщина пленки составит несколько атомарных слоев. [10]
К ситаллам относят материалы, получаемые, подобно стеклу, сплавлением неорганических окислов но подвергаемые затем управляемой кристаллизации. Таким образом в этих системах содержится как аморфная, так и кристаллическая фаза. Помимо обычных окислов в их состав предварительно вводят тонкодисперсные примеси, служащие для образования зародышевых центров, вокруг которых вырастает астрономически большое количество микроскопически малых кристаллов; название с и. В первом случае в так называемых фотоситаллах, распределенные в объеме примеси солей металлов под действием света или иного облучения, становятся металлическими частицами. Обычно используют ультрафиолетовое облучение с длиной волны X 260 - ь 360 ммкм; появляется скрытое изображение; для его проявления стекло прогревают. Термическая обработка стекла сопровождается образованием и ростом ультратонких разветвленных неметаллических кристаллов, вокруг металлических частиц. Если облучать не всю поверхность изделия, а лишь определенные участки, то будут закристаллизованы лишь соответствующие объемы. Оказалось, что закристаллизованные непрозрачные участки значительно легче растворяются в кислотах, чем примыкающие к ним прозрачные участки. [11]
Аморфный кремнезем кристаллизуется в кристобалит. Начало кристаллизации рентгенографически отмечается при непрерывном нагреве уже при 900 С. Известно, что кристаллизация кри-стобалита при температуре 870 - 1470 С осуществляется только в присутствии минерализатора в твердом или жидком состояниях. Такое минерализующее действие в нашей системе, по-видимому, и оказывает окись меди. Последняя уменьшает поверхностное межфазовое натяжение и тем самым облегчает образование зародышевых центров тридимита на частицах кристобалита. [12]
Конденсация означает переход из газообразного состояния в жидкое или твердое. С точки зрения термодинамики, для того, чтобы произошла конденсация, необходимо только, чтобы парциальное давление материала пленки в газовой фазе было равно или больше равновесного давления паров этого материала над конденсированной фазой при данной температуре. Однако это справедливо только в том случае, если имеет место конденсация на уже сконденсированный материал пленки или на подложку из этого же материала. В общем случае подложка по своей химической природе отличается от материала пленки. При этом необходимо рассматривать еще и третью фазу, а именно, адсорбированную, в которой атомы пара уже адсорбированы на подложку, но еще не связаны с другими адсорбированными атомами. Конденсация начинается с соединения нескольких адсорбированных атомов в небольшие скопления, которые называются зародышевыми центрами, или зародышами, а процесс их образования - зародышеобра-зованием. Так как маленькие частицы обладают более высоким давлением паров, чем массивный материал при тех же условиях ( уравнение Гиббса - Томсона), для того чтобы произошло образование зародыша, необходима степень пересыщения больше единицы. Процесс увеличения зародышевого центра и образование, в конце концов, однородной пленки называется ростом пленки. Часто образование зародышей и рост происходят одновременно в процессе образования пленки. Процесс конденсации недостаточно рассматривать просто как случайное падение на подложку липких пробковых шариков, которые прилипают там же, где упали. Наоборот, адсорбированные атомы обладают достаточно большой поверхностной подвижностью, и в результате ярко выраженные островки из материала пленки на подложке образуются даже спустя длительное время после образования зародышевых центров. В конце концов, эти островки сливаются и образуют непрерывную пленку, но это происходит только после того, как средняя толщина пленки составит несколько атомных слоев. [13]
Страницы: 1