Образование - экситон
Cтраница 4
В состоянии экситона движение пары противоположных зарядов не создает тока и не влияет на электропроводность. Поэтому поглощение света с образованием экситона само но себе не создает фотопроводимости. [46]
Движение пары противоположных зарядов не создает тока и не влияет на электропроводность. Поэтому поглощение света с образованием экситона не создает фотопроводимости. При возникновении фотоэффекта один из зарядов экситона закрепляется на одном из уровней примеси. [47]
Они должны быть отнесены к образованию экситонов. [48]
Следует заметить, что экситонные состояния не могут быть отображены на энергетической диаграмме. Оценки показывают, что состояния электрона, участвующего в образовании экситона, лежат вблизи дна зоны проводимости, а энергия распада экситона А. Сопоставление величин (2.106) и (2.110) с постоянной решетки показывает, что критерий применимости метода эффективной массы здесь достаточно хорошо выполняется. [49]
 |
Край собственного поглощения и поглощение свободными носителями заряда в соединениях AIVBVI. [50] |
Бриллюэна, или в точках экстремумов энергии в общем случае. Малость интервала возможных состояний, из которых разрешены переходы электронов с образованием экситонов, приводит к возникновению узких спектральных полос поглощения, примыкающих к фундаментальной полосе с длинноволновой стороны. Пример наблюдения экситонных полос поглощения приведен на рис. 120 для теллурида и селенида кадмия. Для теллурида кадмия наблюдается одна полоса, соответствующая переходу в основное состояние экситона. [51]
Тг - триплет-ные нижайшее ( триплетный экситон) и первое возбужденное состояний кристалла. Процесс (5.90) отвечает слиянию синглет-ного и триплетного экситонов, идущего с образованием триплет-ного экситона большой энергии. Триплетные возбуждения обладают большими временами жизни и их концентрации при стационарном возбуждении могут быть даже большими концентрации экситонов синглетных. [52]
Поэтому можно такой электрон трактовать как электрон проводимости, локализовавшийся в кулоновском поле положительной дырки. Иными словами, можно, следуя Волькенштейну Ф. Ф. [24], считать, что образование экситона в ионном кристалле связано с переходом электрона от отрицательного иона к соседнему положительному иону, в результате чего возникает пара электрон-дырка, связанная кулоновским взаимодействием и перемещающаяся по кристаллу как одно целое. [53]
Экситон характеризуется набором собственных значений энергии, образующих водородоподобный энергетический спектр, лежащий в пределах запрещенной зоны полупроводника. Спектр экситонного поглощения полупроводника содержит, таким образом, ряд экстремумов, отвечающих образованию экситона с энергией, соответствующей одному из возможных состояний. [54]
Страницы: 1 2 3 4