Образование - двойник
Cтраница 1
 |
Дефекты упаковки в ав-тоэпитаксиальном слое кремния с ориентацией ( 111.| Образование дефекта упаковки в слое кремния на подложке с ориентацией по плоскости ( 111. [1] |
Образование двойников и малоугловых границ также стимулируется различными микрозагрязнениями на подложке или механическими напряжениями на границе слой - подложка. [2]
Образование двойников; критическая температура между хрупким и вязким разрушением имеет очень резкий, пороговый характер. [3]
 |
Диаграмма рекристаллизации мягкой стали.| Образование двойника рекристаллизации. [4] |
Образование двойника происходит, когда зерно А врастает в зерна Si и S. Границы зерен ASi и AS2 являются болыпеуг левыми границами с большой энергией. Энергетически выгодные условия возникают, когда образуется зерно А с ориентацией двойника. Сумма энергий границ зерен A Si и A Ss, а также границы двойника АА должна быть меньше, чем соответствующая граничная энергия системы, в которой не образуется двойник. [5]
Образование двойников; критическая температура между хрупким и вязким разрушением имеет очень резкий, пороговый характер. [6]
 |
Образование двойника рекристаллн-зацнн. [7] |
Образование двойника происходит, когда зерно А врастает в зерна Si и Sz. Границы зерен ASi и ASz являются большеугловыми границами с большой энергией. Энергетически выгодные условия возникают, когда образуется зерно А с ориентацией двойника. Сумма энергий границ зерен A SiHA Sj, а также границы двойника АА должна быть меньше, чем соответствующая граничная энергия системы, в которой не образуется двойник. [8]
 |
Положение действующих при 20 С плоскостей двоиникования в кристаллической решетке а-титана. [9] |
Образование двойников при комнатной и низкой температурах сопровождается, как правило, появлением пиков нагрузки на диаграмме при растяжении; за пиками следует падение нагрузки, степень которого зависит от жесткости испытательной машины. [10]
Образование двойников; критическая температура между хрупким и вязким разрушением имеет очень резкий, пороговый характер. [11]
 |
Диаграмма рекристаллизации мягкой стали. [12] |
Образование двойника происходит, когда зерно А врастает в зерна Si и Sz. Границы зерен Л 1 и А8г являются болыпеугловыми границами с большой энергией. Энергетически выгодные условия возникают, когда образуется зерно А с ориентацией двойника. Сумма энергий границ зерен A SiuA St, а также границы двойника АА должна быть меньше, чем соответствующая граничная энергия системы, в которой не образуется двойник. [13]
Образование двойников роста на гранях ( 111) при больших концентрациях цинка, видимо, также связано с его влиянием на состав адсорбированного слоя. При больших концентрациях цинк может замещать мышьяк в решетке GaAs и создавать напряжения, достаточные для образования двойников. [14]
Время образования двойника составляет неск. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5