Последовательное образование

Cтраница 1

Последовательное образование указанных выше структур получается в результате постепенного увеличения количества газовой фазы в потоке газожидкостной смеси. [1]

Последовательное образование и распад поперечных мостиков напоминает обратимые переходы золь - гель в коллоидах. Мышцы соответственно представляют собой постоянные гели большей или меньшей жесткости в зависимости от числа поперечных мостиков. [2]

Последовательное образование слоев ясно видно на фиг. Приварившийся нарост делается как бы неразрывной режущей частью резца. [3]

Последовательное образование плоскостей в процессе роста кристалла из паровой фазы или расплава также включает процесс зароды-шеобразоваяия. Кроме того, форма, или габитус, растущего кристалла часто определяется химическими свойствами поверхности. [5]

Последовательное образование производных единиц электричества и магнетизма на базе трех основных единиц ( длины, массы и времени) можно осуществить не одним, а двумя разными способами. Можно исходить вслед за Гауссом из закона Кулона для взаимодействия магнитных масс. Несмотря на фиктивность понятия магнитной массы это приводит к логически стройной системе единиц, прлучившей название электромагнитной системы СГС, или системы СГСМ. [6]

Это последовательное образование и восстановление поверхностного нитрида в настоящее время и рассматривается как наиболее вероятный механизм каталитического образования аммиака. [7]

Сварка способом после - Образовав сварочную ванночку довательного наложения ванночек ПРИ малои лщине стали. [8]

Способ последовательного образования сварочных ванночек позволяет получить высокое качество сварного шва. [9]

При последовательном образовании угольного ангидрида, сначала получая окись углерод из 1 атома углерода и 1 атома кислорода, а затем присоединяя 1 атом кислорода к 1 молекуле окпси углерода, получим сумму теплот образования, также равную - f - - f - 94, 5 кал. [10]

Тренинг - последовательное образование токопроводящих мостиков, которые формируются на поверхности твердого электроизоляционного материала вследствие совместного действия электрического напряжения и наличия загрязнений на его поверхности. Количественно трекинг характеризуется сравнительным индексом трекингостойкости и контрольным индексом трекингостойкости. [11]

Для случая последовательного образования полостей механическая постановка задачи следующая. В начальном ( ненапряженном) состоянии в теле отсутствуют напряжения и деформации. Затем под воздействием внешней начальной нагрузки, приложенной к телу, в нем накапливаются начальные большие деформации. Тело переходит в первое промежуточное состояние. В области, занимаемой телом, мысленно намечается замкнутая поверхность. Часть тела, ограниченная этой поверхностью, удаляется, а ее действие на оставшуюся часть заменяется по принципу освобождаемости от связей силами, распределенными по данной поверхности. Это вызывает возникновение в оставшейся части тела дополнительных больших ( по крайней мере в окрестности вновь образованной граничной поверхности) деформаций и напряжений, которые накладываются на начальные. Изменяется граница тела, и оно переходит во второе промежуточное состояние. [12]

Зависимость логарифмов констант устойчивости комплексов ЭДУФ ( 1, ЭДТФ ( 2, ДТПФ ( 3 и ЭДДИФ ( Л от порядкового номера переходных металлов. [13]

Логарифмы констант последовательного образования полиядерных комплексов марганца, никеля, кобальта, меди, цинка составляют 1 - 2 порядка. Исключительно прочные полиядерные комплексы образует кадмий. Прочность нормальных комплексов особенно высока в случае меди. [14]

Саркоплазматический ретикулум и Т - система. [15]

Страницы: 1 2 3 4