Кривое образование
Cтраница 1
Кривые образования для систем этилендиаминовых комплексов были лишь частично получены прежде применяемым методом измерения в заранее приготовленных растворах со стеклянным электродом. [1]
 |
Кривые образования для систем. [2] |
Кривые образования и диссоциации были использованы нами при рассмотрении равновесий в кислотно-основных системах. [3]
Кривые образования, изображенные на рис. X. [4]
Кривые образования для систем этилендиаминовых комплексов были лишь частично получены прежде применяемым методом измерения в заранее приготовленных растворах со стеклянным электродом. [5]
Кривые образования зародышей указывают на наличие индукционного периода и в целом характерны для автокаталитической реакции. Что касается механизма образования зародышей, то, возможно, для его объяснения может быть применена флуктуационная теория. Однако трудно понять резко выраженную температурную зависимость скорости образования зародышей, установленную в этой работе, с флуктуационной точки зрения. К тому же, согласно электронно-микроскопическим данным, диаметр зародышей составлял - 30 А, чему должны соответствовать флуктуации порядка миллиона атомов. Пока не разработана вполне удовлетворительная теория, объясняющая механизм образования зародышей в разбавленном растворе. [6]
Кривые образования гидратов для различных компонентов природного газа приводятся на рис. 7.4 зависимости равновесных параметров гидратообразования природных газов приводятся на рис. 7.5 область существования гидратов на этих графиках располагаются левее и выше кривых. С увеличением давления и плотности газа температура гидратообразования возрастает. [8]
 |
Диаграмма фазовых состояний газ - гидрат. [9] |
Кривые образования гидратов для различных компонентов природного газа приводятся на рис. 1.10. Зависимости равновесных параметров гидратообразования природных газов приводятся на рис. 1.11. Область существования гидратов на этих графиках располагается левее и выше кривых. С увеличением давления и плотности газа температура гидратообразования возрастает. [10]
Кривые образования ионов тетрамминмеди ( II), диаммин-серебра, тетрамминцинка, тетрамминкадмия, гексамминко-бальта ( II) и гексамминникеля были определены со стеклянным электродом. На основании этих измерений были вычислены ступенчатые константы устойчивости. [11]
 |
Зависимость числа центров кристаллизации ( Ч.Ц.К в 1 2 см3 (. расплава от степени переохлаждения ( по Тамма-ну. [12] |
Кривые образования зародышей кристаллизации, напоминающие по форме кривую, показанную на рис. 60, были получены Тамманом для многих других систем. Для всех изученных систем было установлено, что оптимальная температура зарождения центров кристаллизации была гораздо ниже той, которая требовалась для максимального - роста кристаллов. [13]
Кривые образования ионов тетрамминмеди ( II), диаммин-серебра, тетрамминцинка, тетрамминкадмия, гексамминко-бальта ( II) и гексамминникеля были определены со стеклянным электродом. На основании этих измерений были вычислены ступенчатые константы устойчивости. [14]
 |
Характеристика образования аминных комплексов серебра ( по Я - Бьерруму. [15] |
Страницы: 1 2 3 4