Объединение - вакансия
Cтраница 1
Объединение вакансий соответствует переходу от физической к технической трещине. В технике образование трещин ( а часто и полное разрушение тела) в условиях длительного воздействия растягивающих напряжений, существенно меньших кратковременной прочности данной детали или материала при нормальной температуре, получило название замедленного разрушения. [1]
Объединению вакансий в пары или более крупные комплексы может благоприятствовать взаимодействие эффективных зарядов их или упругие деформации, хотя в металлах значение обоих факторов незначительно. Объединение двух изолированных вакансий в дивакансию энергетически выгодно, особенно при не слишком высоких температурах. При удалении соседнего с вакансией атома требуется меньше энергии, чем при удалении атома с нормальным окружением. При образовании двух вакансий разрушается меньшее число атомных связей в расчете на одну вакансию. Правда, энтропийный фактор оказывается при этом менее благоприятным. [2]
Процесс объединения вакансий может продолжаться до образования небольшой микропоры. [3]
 |
Конфигурации комплекса из двух атомов углерода в а-же. [4] |
Разнообразные комплексы могут образовываться при объединении вакансий, а также внедренных атомов металла матрицы с атомами различных примесей. Примеры такого типа комплексов были рассмотрены выше в случае сплавов внедрения Fe - С. [5]
Яри нагревако кремния начинается миграция и объединение вакансий в парные дзфекты. [6]
Причинами возникновения дислокаций могут быть термические или механические напряжения, миграция и объединение вакансий или ошибки роста, например, при утолщении и срастании ветвей дендритов. [7]
 |
Зависимость размера кристаллитов от толщины пленки, температуры подложки, температуры отжига и скорости осаждения. [8] |
Поэтому нельзя считать доказанным вывод о том, что дефекты вычитания образуются путем объединения вакансий или кеждоузельных атомов. Эта ситуация, вероятно, не является неожиданной, так как подвижность точечных дефектов при температуре образования многих пленок достаточ-н: высока для того, чтобы позволить вакансиям и междоузельным ато-мам покинуть поверхность пленки. Однако можно ожидать, что пленки, образованные при таких условиях, когда подвижность точечных дефектов мала, будут несовершенными, вследствие объединения в них точечных дефектов. [9]
Исследованные в [117, 114] процессы образования и отжига V-радиационных дефектов в чистых кристаллах Ge ( с уровнем остаточных примесей 2 1013см - 3) указывают на то, что образование радиационных дефектов в rc - Ge идет, главным образом, за счет объединения вакансий с примесными атомами V группы. Причина их появления - образование комплексов типа атом элемента V группы 4-две вакансии. Характерно, что уровень ga 0 1 эВ ( близкий к Ev - - 0 09 эВ работы [114]), наблюдавшийся в пластически деформированном Ge, авторы работ [104, 394, 395] приписывали дивакансиям. [10]
При значительной концентрации вакансий в кристалле происходит их объединение в дивакансии, тривакансии и более сложные комплексы. Объединение вакансий в вакансионные комплексы вызывается условиями термодинамического равновесия системы, поскольку энергия поливакансий всегда меньше энергии образования составляющих их моновакансий на энергию связи последних в комплексе. [11]
Эффективность разрушения образца зависит от эффективности сращивания вакансий в колонии и осаждения вакансий на поверхности микропор. Если в такой плоскости отсутствуют нормальные напряжения, то образование пор может происходить только за счет объединения вакансий. Разрыхление кристаллической решетки в них, прилежащих к S-шюскостям, рассматривается Одингом как результат повышения пористости ме-таллла вследствие коагуляции вакансий. Повышение пористости в 5-плоскостях приводит к локальному снижению прочности металла. В тот момент, когда напряжение от внешних сил окажется больше предела прочности в локальном объединении, наступает локальное разрушение. [12]
Эффективность разрушения образца зависит от эффективности сращивания вакансий в колонии и осаждения вакансий на поверхности микропор. Если в этой плоскости отсутствуют нормальные напряжения, то образование пор может происходить только за счет объединения вакансий. Разрыхление кристаллической решетки в них, прилежащих к S-плоскостям, рассматривается Одингом как результат повышения пористости металла вследствие коагуляции вакансий. Повышение пористости в 5-плоскостях приводит к локальному снижению прочности металла. В тот момент, когда напряжение от внешних сил окажется больше предела прочности в локальном объединении, наступает локальное разрушение. При наличии максимальных нормальных напряжений ( Л - плоскости) большую эффективность приобретают процессы осаждения вакансий на поверхности микропоры, превращающие ее в трещину. В зависимости от величины обоих напряжений предопределяются условия для преимущественного развития процессов коагуляции или процессов осаждения вакансий и, как следствие, возникновение разрушения по 5 - или по А / - ПЛОСКОСТИ. [13]
Эффективность разрушения образца зависит от эффективности сращивания вакансий в колонии и осаждения вакансий на поверхности микропор. Если в такой плоскости отсутствуют нормальные напряжения, то образование пор может происходить только за счет объединения вакансий. Разрыхление кристаллической решетки в них, прилежащих к 5-плоскостям, рассматривается Одингом как результат повышения пористости ме-таллла вследствие коагуляции вакансий. Повышение пористости в S-плоскостях приводит к локальному снижению прочности металла. В тот момент, когда напряжение от внешних сил окажется больше предела прочности в локальном объединении, наступает локальное разрушение. [14]
Известно, что после закалки часть акцепторов в Ge не отжигается при Т 350 С. Это может быть связано с тем, что значительную долю этих акцепторов составляют двойные вакансии [108], или же с процессом объединения вакансий в дивакансии. [15]
Страницы: 1 2