Объем - поле
Cтраница 1
Объем поля принят исходя из того, что текст шапки любой таблицы занимает не более 25 строк. [1]
 |
К определению энергии поля рассеяния.| Распределение поля рассеяния в радиальном направлении. [2] |
Объем поля рассеяния VQ представляет собой объем полого цилиндра с расчетной высотой 1а - Расчетная высота полого цилиндра несколько больше высоты обмотки / Дрис. [3]
Убыль энергии в объеме V поля расходуется на выделение джоулева тепла в проводниках, находящихся в поле, и на распространение энергии через замкнутую поверхность 5, ограничивающую объем. [4]
Плотность зарядов в единице объема поля равна пв - произведению количества отрицательных ионов на величину элементарного заряда. [5]
Если объем записываемой информации превышает объем поля элементов от АТС до АКЭ и объем свободного поля ОЗУ, то фиксируется сбой, и выполнение программы прекращается. [6]
Чтобы определить энергию в единице объема поля, следует рассматривать условия равномерного поля: такое поле создается в плоском конденсаторе. [7]
 |
Плотности энергии, характерные для накопителей, которые применяются для генерации импульсных магнитных полей. [8] |
В результате имеют место быстрое увеличение объема поля и уменьшение плотности магнитной энергии. Поэтому для получения магнитных полей с Вт, равной нескольким сот тесла, необходимо обеспечить столь большую скорость подвода энергии ( т.е. вектор Пойнтинга SpExH должен быть велик), чтобы компенсировать скорость уменьшения плотности энергии в рабочей области импульсного магнита. Для этого нужно иметь источники высокого напряжения с большими токами. [9]
Предположим сперва, что на границе объема V поля обращаются в нуль. [10]
В - среднее число треков на один объем поля зрения; t - время экспозиции; С - концентрация раствора в пересчете на металл; ответ: 1 39 - 10 лет. [11]
Подобным же образом для магнитной энергии единицы объема поля получается. [12]
Здесь и Ed, a Sd т есть объем поля. [13]
Рассмотрим теперь замкнутую поверхность S, охватывающую некоторый объем поля V. [14]
При загрузке сегментов и при размещении динамических массивов объем поля свободного участка памяти уменьшается за счет увеличения стека сегментов. В результате освобождения памяти поле свободного участка увеличивается. [15]
Страницы: 1 2 3 4