Cтраница 2
Поэтому с уменьшением диаметра трубок их число быстро возрастает и это усложняет и удорожает изготовление аппаратов. В пластинчатых конструкциях имеются большие возможности уменьшения габаритов воздухоподогревателей, но они тоже ограничены из-за возрастания работ по сварке при малых диаметрах каналов. По подсчетам Кокса и Стевенса, при уменьшении диаметра каналов с 10 до 2 5 мм длина их уменьшается с 4 ж до - 0 9 м, число каналов возрастает с 600 до - 8000 шт. При дальнейшем уменьшении диаметра каналов движение из турбулентного переходит в ламинарное и при диаметре каналов - - 0 5 мм и длине их 75 мм число каналов резко возрастает ( около 100 000), а объем пучка будет приблизительно в 100 раз меньше, чем при диаметре каналов 10 мм. [16]
Поэтому с уменьшением диаметра трубок их число быстро возрастает и это усложняет и удорожает изготовление аппаратов. В пластинчатых конструкциях имеются большие возможности уменьшения габаритов воздухоподогревателей, но они тоже ограничены из-за возрастания работ по сварке при малых диаметрах каналов. По подсчетам Кокса и Стевенса, при уменьшении диаметра каналов с 10 до 2 5 мм длина их уменьшается с 4 м до - 0 9 м, число каналов возрастает с 600 до - 8000 шт. При дальнейшем уменьшении диаметра каналов движение из турбулентного переходит в ламинарное и при диаметре каналов - 0 5 мм и длине их - - 75 мм число каналов резко возрастает ( около 100 000), а объем пучка будет приблизительно в 100 раз меньше, чем при диаметре каналов 10 мм. [17]
Процесс травления, в котором ионы плазмы и радикалы с малым временем жизни имеют большую долю участия в реакции, чем нейтральные частицы, обеспечивает значительно более высокую скорость травления в направлении толщины, чем в направлении ширины пленки. В результате травление становится анизотропным и подтравление практически исчезает. В этом процессе удаление материала осуществляется за счет как физического распыления ускоренными ионами химически активных газов, так и реакций между химически активными частицами, образующимися в плазме или ионном пучке, и поверхностными атомами материала. Если при этом обрабатываемый материал находится в контакте с плазмой, то процесс называется реактивным ионно-плазменным травлением. Если материал вынесен из зоны плазмы разряда, находится в вакуме и подвергается воздействию пучка ионов химически активного газа, которые в процессах перезарядки, диссоциации и нейтрализации в объеме пучка и на поверхности материала могут образовывать химически активные частицы, то процесс называется реактивным ионно-лучевым травлением. [18]