Объем - расплав - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
"Имидж - ничто, жажда - все!" - оправдывался Братец Иванушка, нервно цокая копытцем. Законы Мерфи (еще...)

Объем - расплав

Cтраница 2


Уф - объем формы ( объем расплава в форме) или той ее части, для которой рассчитывают прибыль, см; Лт.  [16]

Выравнивание составов поверхностного слоя и объема расплава приводит к понижению концентрации ионов кремния на границе раздела фаз и к повышению содержания других катионов.  [17]

Идеальная работа впрыска равна произведению объема впрыскиваемого расплава полимера на давление впрыска.  [18]

Окисление НС1 идет во всем объеме расплава на катализаторе, в то время как реакции хлорирования метана и хлорма-танов, а также их окисление - на поверхности расплава. Кро ме того, эти реакции протекают на разных активных центрах, причем присутствие катионов переходных металлов в центрах, на которых идет хлорирование, не обязательно.  [19]

20 Конвективные потоки в расплаве ( показаны стрелками при выращивании монокристаллов по методу Бриджмена ( а и Чохральского ( б в условиях. 1 - выпуклого, 2 - вогнутого и 3 - плоского фронтов кристаллизации. ( Кристаллы обозначены штриховкой. [20]

Так как скорость течения в объеме расплава ниже, чем в поверхностном слое, подъемная сила, возникающая как следствие неоднородного распределения температуры, практически полностью уравновешивается силой, вызванной градиентом давления. Это означает, что в объеме расплава складывается ситуация, близкая к гидростатической, где, как известно, температура оказывается функцией только координаты z, и при ориентированном по оси z температурном градиенте имеют место устойчивые гидродинамические потоки. Это утверждение соответствует результатам экспериментов по распределению примесей в монокристаллах, выращенных в условиях разнонаправленных конвективных потоков.  [21]

22 Схема установки для выращивания монокристаллов по методу Чохральского. а - выращивание монокристаллов в форме стержней, б - выращивание монокристаллов в форме дисков. 1 - Монокристалл, 2 - расплав, 3 - основной нагреватель, 4 - дополнительный нагреватель. Жирными стрелками показано направление вытягивания монокристалла, тонкими - направление водяного охлаждения, пунктиром - направление вращения кристалла. [22]

Метод Чохральского относится к методам с неограниченным объемом расплава, поскольку перед кристаллизацией исходный материал в тигле целиком расплавляется.  [23]

Уравнение ( 5 - 20) показывает объем расплава в определенном сечении канала червяка, расположенного где-то в дозирующей зоне вдоль оси червяка. Для получения расчетного уравнения необходимо проинтегрировать ( 5 - 20) по длине L дозирующей зоны червяка.  [24]

Здесь Q - теплота плавления на единицу объема расплава; k0 - постоянная Больцмана.  [25]

26 Образование зародыша на границе раздела фаз. [26]

Объем зародыша v мал по сравнению с объемом расплава V. Это позволяет пренебречь изменением объема системы при образовании зародыша. В таком случае процесс кристаллизации является изотермическим и изохориче-ским и равновесие системы определяется минимумом свободной энергии.  [27]

Примесные атомы быстро и равномерно распределяются в объеме расплава под действием диффузии, конвекционных токов и хорошего перемешивания расплава, на вращательное движение которого накладывается вертикальное движение вытягиваемого кристалла. По мере вытягивания монокристалла из расплава в нем образуется тонкий поперечный слой с проводимостью / ьтипа. Через некоторое строго определенное время в ванну добавляется примесь пятивалентного элемента, например мышьяка, в количестве, необходимом для того, чтобы в содержащемся вваннерасплавевновь возникла проводимость я-типа.  [28]

29 Изменение температу - ( L 10 сек / увеличение Ыф бу - ры фронта кристаллизации в огра - дет незначительным во время ничейной цилиндрической трубке. всего процесса кристаллизации. [29]

I была сформулирована задача о кристаллизации в объеме полуограниченного расплава. Характерным для этой ситуации является возможность значительного развития превращения у наружной поверхности рассматриваемого объема ( х 0) при отсутствии его вдали от этой поверхности. Поверхность х у ( t) отделяет двухфазную зону от однофазной, закон ее перемещения является искомой функцией в нашей задаче. Разумеется, вся описанная ситуация отражает в общих чертах истинное положение вещей только в начальной стадии процесса. После того как поверхности растущих кристалликов у границы тела х 0 сомкнулись, образуя единый фронт фазового превращения, необходимо рассматривать сочетание последовательной и объемной кристаллизации. Математически задача формулируется следующим образом ( см. гл.  [30]



Страницы:      1    2    3    4