Cтраница 5
Пересыщение снимается в кристалло-растителе при контакте раствора с массой взвешенных в потоке кристаллов, при этом кристаллизуемое вещество отлагается главным образом на гранях кристаллов в слое, в результате чего размеры их увеличиваются. Укрупненные кристаллы непрерывно или периодически выводят из нижней части кристаллорастителя. В аппаратах с регулируемой кристаллизацией можно получить кристаллы со средним размером 1 мм и выше, однако это требует значительного увеличения габаритов аппаратуры и объема установки по сравнению с обычными вакуум-кристаллизаторами. [61]