Остальной объем

Cтраница 3

Образование выпрямляющего р - / 1-перехода - заряд иона донора. - - дырка. - - заряд иона акцептора. Q - электрон. [31]

В остальном объеме полупроводника концентрация электронов и дырок не меняется. [32]

Соотношение параметров работы аэротенков-смеснтелей с регенераторами в зависимости от ВПК исходной воды и концентрации растворенного кислорода. [33]

Регенератор отделяют от остального объема аэротенка перегородкой или другим способом во избежание попадания загрязненной воды. Улучшение состава простейших при частичной подаче сточных вод в регенератор свидетельствует об избыточности объема регенератора. [34]

Для непрямой адресации остального объема памяти ( кроме ОЗУ) используется спец. Каждая ячейка адресной оперативной памяти ( ее адрес) соответствует постоянно определ. [35]

По отношению к остальному объему монокристалла пограничным областям, обедненным носителями заряда, присущи повышенные удельные сопротивления с максимальной величиной на границе раздела. По этой причине считают, что р - и-переход разделяется обедненным ( запирающим) слоем. [36]

На границе шва и остального объема органического стекла появляются значительные внутренние напряжения ввиду различия упругих и эластических свойств. Диффузия растворителя из шва в соседние слои материала происходит в течение длительного времени. В этот период шов сохраняет большую хладотекучесть и пониженную теплостойкость. [37]

Зона высокой влажности отделяется от остального объема шкафа сплошной стеклянной полкой и имеет либо собственную внутреннюю дверцу, либо состоит из крупных ящиков с плотно прилегающими крышками. [38]

Наполнительная смесь применяется для заполнения всего остального объема опок или форм. Она состоит в основном из оборотной смеси с добавкой для освежения глинистых и иногда кварцевых песков. [39]

Схема обессоливания воды с рециркуляцией. [40]

Отделив анодное и катодное пространства от остального объема воды диафрагмами в промежуточном пространстве, можно получить воду со значительно меньшим солесодержанием, чем в исходной воде. В связи с разрядом на аноде ионов ОН - раствор в анодном пространстве приобретает кислую реакцию. Материал анодных диафрагм ( пористая керамика, микропористая резина) и анодов ( магнетит) должен быть устойчив в этой среде и противостоять коррозионному действию хлора выделяющегося на аноде. Материал катодных диафрагм ( асбестовая ткань) и ИсхоШяВода катодов ( сталь) должен быть устойчив в щелочной среде, так как в связи с разрядом на катоде ионов Н раствор вокруг него приобретает щелочную реакцию. [41]

Переползание краевой дислокации. перемещение ступеньки вдоль линии дислокации за счет поглощения ( А или излучения ( Б вакансий приводит к переползанию краевой дислокации на межатомное расстояние. [42]

Градиент концентрации вакансий между дислокацией и остальным объемом кристалла возникает вследствие тогои что приложенное напряжение а изменяет равновесную концентрацию вакансий в области дислокации, повышая энергию образования вакансий на величину ой. [43]

Принцип создания ЗУ на ЦМД-решстках. [44]

Доменные границы между цилиндрическими доменами и остальным объемом пластины являются стенками Блоха ( ср. На рис. 15.41, в, г и д показаны ЦМД с тремя различными структурами доменной стенки, одна из которых принята за единицу, другая - за нуль. [45]

Страницы: 1 2 3 4