Cтраница 2
Например, в молекуле НгО атомы располагаются в виде треугольника, а в молекуле СОз атомы располагаются по прямой линии, в центре которой находится атом углерода. Для объяснения химической структуры молекул необходимо было допустить, что химические валентности атомов обладают определенной направленностью. Квантовая механика дает простое качественное объяснение направленных валентностей атомов. [16]
Кроме того, данные оси радикалов 1 и 12 различным образом ориентированы относительно осей - тензора радикального фрагмента. Для радикала 12 направление длинной оси близко к ж-оси - тензора, а в радикале 1 эта ось близка к направлению у-ося. На рис. 10 показано, как изменяются спектры радикалов в двухмиллиметровом диапазоне ЭПР при размораживании вращательной нодвижноети зондов с повышением температуры. Этот эффект имеет простое качественное объяснение. Для частиц, обладающих анизотропией магнитны параметров, различным ориентациям во внешнем поле соответствуют разные частоты резонанса. Вращение приводит к обмену между состояниями с различными резонансными частотами, что и вызывает релаксационные изменения в спектре. Не всякое вращение, однако, осуществляет такой обмен с одинаковой эффективностью. Для изотопно распределенных в образце эллипсоидальных радикалов часть центров оказывается ориентированной осью вращения вдоль поля, и в соответствующих им сигналах ЭПР релаксационные изменения не проявляются. В случае 1 этому условию соответствуют частицы, ориентированные по полю г / - осью - тензора. Лишь при дальнейшем повышении температуры, когда достаточно эффективными оказываются движения, переориентирующие направление длинной оси радикала, / - компонента начинает участвовать в частном объеме. [17]
При таком поверхностном состоянии полупроводниковой подложки формирование МДП-структур оказалось бы принципиально невозможным. Следовательно, влияние индуцируемого заряда на модуляцию проводимости слоя полупроводника является пренебрежимо малым. Однако рассмотренный случай может иметь место лишь в условиях, близких к идеальным. В обычных условиях поверхность полупроводника покрыта толстым слоем оксидных соединений, а также слоями адсорбированных атомов и молекул. Существенным является то, что поверхность, покрытая таким диэлектрическим слоем, имеет значительно меньшую плотность состояний, чем атомарно чистая поверхность. Этому можно дать сравнительно простое качественное объяснение, если учесть, что поверхностные состояния обусловлены обрывом валентных связей в кристаллической решетке, вследствие чего поверхностные атомы или ионы кристалла находятся в иных условиях по сравнению с атомами или ионами, расположенными в его глубине. При окислении или других поверхностных реакциях поверхностные атомы или ионы кристалла образуют химические связи с чужеродными атомами, например с атомами кислорода или азота. Вследствие этого для поверхностных атомов полупроводника и атомов, находящихся в глубине кристалла, различия становятся менее значительными. Этому способствует влияние ориентирующего поля полупроводникового кристалла, благодаря которому первые слои наращиваемого диэлектрика повторяют структуру полупроводника. В результате плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник - диэлектрик уменьшается по сравнению с открытой поверхностью полупроводника. [18]
На работу МДП-транзистора очень большое влияние оказывают поверхностные состояния исходной полупроводниковой подложки. При таком поверхностном состоянии полупроводниковой подложки формирование МДП-структур оказалось бы принципиально невозможным. Это нетрудно показать, если учесть, что максимальная плотность состояний, индуцируемая на поверхности полупроводника и определяемая напряженностью пробоя диэлектрика ( Ю6 - 107 В / см), не превышает Ю11 - Ю12 см-12. Следовательно, индуцируемый заряд примерно на три порядка меньше заряда поверхностных состояний, и его влияние на модуляцию проводимости слоя полупроводника является пренебрежимо малым. Однако рассмотренный случай может иметь место лишь в условиях, близких к идеальным. В обычных условиях поверхность полупроводника покрыта толстым слоем окисных соединений, а также слоями адсорбированных атомов и молекул. Существенным является то, что поверхность, покрытая таким диэлектрическим слоем, имеет значительно меньшую плотность состояний, чем атомарно чистая поверхность. Этому можно дать сравнительно простое качественное объяснение, если учесть, что поверхностные состояния обусловлены обрывом валентных связей в кристаллической решетке, вследствие чего поверхностные атомы или ионы кристалла находятся в иных условиях по сравнению с атомами или ионами, расположенными в его глубине. При окислении или других поверхностных реакциях поверхностные атомы или ионы кристалла образуют химические связи с чужеродными атомами, например с атомами кислорода или азота. Вследствие этого для поверхностных атомов полупроводника и атомов, находящихся в глубине кристалла, различия становятся менее значительными. Этому способствует влияние ориентирующего поля полупроводникового кристалла, благодаря которому первые слои наращиваемого диэлектрика повторяют структуру полупроводника. В результате плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник - диэлектрик уменьшается по сравнению с открытой поверхностью полупроводника. [19]