Cтраница 2
Основным способом повышения фоточувствительности в длинноволновой области является увеличение времени жизни электроновг приводящее к увеличению Ьп, что достигается использованием материала более высокого качества. Поверхностную рекомбинацию на тыльной стороне СЭ уменьшают при создании потенциального барьера за счет увеличения концентрации легирующей примеси. Для уменьшения рекомбинационных потерь и эффективного собирания носителей тока, отраженных от тыльного потенциального барьера, в кремниевых СЭ уменьшают толщину базовой области. Однако-при этом увеличивается прозрачность структуры для длинноволнового излучения с hv Eg. Для снижения оптических потерь в этом случае на тыльной поверхности структуры создают отражающее покрытие, что позволяет удвоить путь, проходимый длинноволновыми фотонами в структуре, и увеличить эффективность их поглощения. [16]
Опубликовано [110] значение энергии активации для реакции образования комплекса надуксусной кислоты с ацетальдегидом, равное 7 ккал / молъ. Эти же авторы сообщают энергию активации ( 15 - 16 ккал / молъ) для реакции разложения комплекса на 2 моля уксусной кислоты. Реакция ( 145) может играть весьма важную роль в некаталитических системах, а возможно, и при катализируемом металлами окислении чистого ацетальдегида. Однако-при окислении бутана в присутствии катализатора, когда концентрация альдегида низка, протекание реакции ( 145) в сколько-нибудь значительной степени весьма сомнительно. [17]