Однородность - кристалл
Cтраница 2
Достигаемая при помощи пьезоэлектрических излучателей акустическая мощность зависит от качества и однородности кристаллов, а также и от конструкции держателей, в которых укрепляются излучатели. [16]
При проектировании аппаратов непрерывной кристаллизации необходимо предъявлять более строгие технические требования к готовому продукту ( размер и однородность кристаллов), учитывать тщательно отработанные технологические параметры и требуемую рабочую силу. Принимая во внимание особенности различных процессов кристаллизации, было разработано большое количество конструкций, приспособленных иногда для работы в специальных условиях. [17]
В запрещенной зоне появляются зоны разрешенных уровней за счет наличия примесей других атомов или же за счет каких-либо нарушений однородности кристаллов тела. Эти примесные зоны могут располагаться либо вблизи зоны проводимости, либо вблизи валентной зоны. [18]
Из изложенного следует, что неоднородная ширина AvH электронной линии при очень низких ( гелиевых) температурах может служить для оценки внутренней однородности кристалла. Гомовалентный изоморфизм может приводить к образованию в простых кристаллах также и нескольких отличающихся друг от друга центров, характеризующихся своими специфическими спектроскопическими параметрами. Такая ситуация может реализовываться только в том случае, если в кристалле имеется несколько значительно разнящихся пространственно неэквивалентных положений замещаемых ионов. В качестве примера можно назвать полуторные окислы Y303 и Ег203, в которых катионы расположены в двух неэквивалентных позициях с симметрией С2 и C3i, В этом случае можно ожидать образования в них ионами TR3 двух типов активаторных центров. [19]
В тех случаях, когда предусматривается контроль за образованием зародышей и скоростью их роста, а также при предъявлении жестких требований к чистоте, размеру и однородности кристаллов в продукте, проектируются специальные кристаллизаторы. [20]
В полученных таким образом кристаллах всегда можно было заметить первоначальный зародыш; часто встречались трещины, заполненные маточным раствором, или прослойки, хотя и не заключающие в себе жидкости, но нарушающие тем не менее однородность кристалла. Всякое такое нарушение однородности совершенно искажает электрические свойства кристалла; поэтому после изготовления кристаллов требовалась весьма тщательная сортировка их; иногда только один или два из многих десятков изготовленных кристаллов оказывались пригодными для электрического исследования. Кристаллы рассматривались при интенсивном боковом освещении при всевозможной ориентировке относительно глаза и источника света; отбирались те экземпляры, в которых можно было обнаружить часть с сечением не менее 0.5 см2, совершенно лишенную оптических дефектов; остальная часть кристалла удалялась откалыванием и шлифовкой на наждачной бумаге. [21]
Здесь Uj ( n) - векторы смещения атомов в решетке; а, р, v - векторные индексы, пробегающие значения х, у, z slt s2, s3 - номера атомов в элементарной ячейке; nt, na, n3 - целочисленные векторы, определяющие положение ячейки в решетке; символ ( ns) под знаком суммы означает, что суммирование производится по всем п и по всем s; ввиду однородности кристалла функции Л зависят только от взаимных расстояний пх - п3, п2 - п8 между ячейками, но не от их абсолютных положений в решетке. [22]
Здесь Us ( n) - векторы смещения атомов в решетке; а, / 3, 7 - - векторные индексы, пробегающие значения х у, z s, sz, s % - номера атомов в элементарной ячейке; HI, П2, пз - целочисленные векторы, определяющие положение ячейки в решетке; символ ( ns) под знаком суммы означает, что суммирование производится по всем п и по всем s; ввиду однородности кристалла функции Л зависят только от взаимных расстояний HI - 113, П2 - пз между ячейками, но не от их абсолютных положений в решетке. [23]
 |
Возникновение дефектов кристаллов. [24] |
Как показано на рис. III.7, примесные атомы алюминия и фосфора замещают атомы кремния в узлах решетки. Энергетическая однородность кристалла при этом нарушается. Атомы алюминия имеют лишь по три валентных электрона, что приводит к дефициту одного электрона в каждом занимаемом ими узле кристаллической решетки. Однако при сообщении атому алюминия небольшой энергии порядка 5 5 кДж / моль он захватывает недостающий электрон, превращаясь в отрицательно заряженный ион и образуя вблизи себя положительно заряженную дырку. Электрическая нейтральность кристалла при этом сохраняется. Аналогичное алюминию действие оказывают на свойства полупроводниковых кремния и германия примеси и других элементов, таких, как бор, галлий, индий, цинк, железо, марганец. Их называют акцепторными примесями. [25]
 |
Сростки призматических кристаллов кварца в глинистой рубашке. [26] |
Кристаллы кварца, росшие в свободном пространстве пегматитового тела, обладают гексагонально-призматическим габитусом. Степень однородности кристаллов низкая из-за мозаично-блокового строения. Размеры кристаллов обычно составляют 5 - 7 см, иногда они образуют двойниковые срастания по дофиней-скому и бразильскому законам. [27]
Монокристалл - это индивидуальный кристалл, выросший из одного зародышевого центра. Для практики особенно важна однородность кристалла - иными словами, все свойства кристалла в параллельных направлениях должны быть одинаковы. [28]
Слои не только должны быть тонкими, но и должны иметь равномерную толщину на протяжении всего диаметра кристалла и. Более того, толщина и однородность кристалла должны быть воспроизводимы при переходе от образца к образцу, так как из одного кристалла можно изготовить примерно лишь 200 триодов - р-ге-типа с размерами, диктуемыми требованиями технологии. [29]
На рис. 11.7 приведены диаграммы плавкости сплавов кадмия с висмутом и олова со свинцом. Эвтектические сплавы характеризуются малыми размерами и однородностью кристаллов и имеют высокие твердость и механическую прочность. Поэтому сплавы свинца с оловом и сурьмой применяются в качестве типографских шрифтов и решеток аккумуляторов. Вследствие легкоплавкости сплавы свинца с оловом также применяются для припоев и подшипников. [30]
Страницы: 1 2 3 4