Однородность - процесс
Cтраница 2
По англо-американским нормам контрольные карты с границами доверия используются также в тех случаях, когда не имеется никаких других данных, позволяющих установить однородность процесса изготовления ( или выпуска деталей) за истекший промежуток времени. [16]
Диаграмма имеет то преимущество, что по ней, не зная в каждом отдельном случае ожидаемого среднего процента брака, можно производить расчет и оценить однородность процесса изготовления, начиная со второй выборки. [17]
Следует заметить, что в случае продольных схем при аппроксимации дифференциального уравнения на прямых, близких к граничным, обычно возникают трудности, связанные с нарушением однородности процесса приближения. В некоторых частных случаях, правда, эти трудности удается существенно ослабить за счет использования граничных данных. [18]
Функции рассеяния (8.52) и (8.53) зависят от разности временных и частотных аргументов, но не от их абсолютных значений, что является прямым следствием предположения о временной стационарности и частотной однородности процесса. [19]
Причина более интенсивного развития рекристаллизации в этих образцах, вероятно, связана с тем, что укрупнение частиц у - фазы при предварительном отжиге и сопровождающая его потеря когерентности приводят к увеличению расстояния между частицами, способствуют при деформации повышению плотности дислокаций в структуре и облегчению их перестройки, вследствие чего облегчаются зарождение и рост новых зерен и повышается однородность процесса рекристаллизации. Установленное влияние выделений у - сра-зы на развитие рекристаллизационных процессов должно быть учтено при выборе конкретных режимов обработки жаропрочных сплавов с целью создания в них УМЗ структуры. [20]
Бусинки вплавляют в германиевую пластинку точно напротив друг друга. Можете себе представить, насколько жестки требования, предъявляемые к точности и однородности процесса изготовления сплавных транзисторов. [21]
Необходимо отметить, что заряд в основной камере в LAG-процессе не является однородным ( гомогенным) ни с точки зрения распределения температур, ни с точки зрения распределения концентраций основных компонентов. В действительности поток массы, истекающий из предкамеры, оказывает даже разделяющий эффект на предварительно перемешанный заряд в основной камере. Следовательно, однородность процесса воспламенения в основной камере объясняется не гомогенностью заряда в ней, а равномерным распределением очагов воспламенения по объему камеры, что, в свою очередь, приводит к тому, что процесс сгорания мгновенно охватывает сразу весь объем основной камеры. [22]
Чтобы обойти указанную трудность, предположим, что все существенные для протекания процесса признаки движения в аппарате, связанные с особенностями однородного или неоднородного псевдоожижения, можно достаточно полно охарактеризовать некоторыми простыми числами или комплексами, например ( Н - / / о), ( U-С / о), Аг, Re и другими, образованными из тех или иных усредненных величин, характеризующих процесс. Не будем требовать при этом введения единых чисел для всего аппарата, а предположим лишь, что такие числа могут быть введены хотя бы для отдельных его зон - зон однородности. Под зонами однородности процесса будем понимать такие участки фазового пространства ( в том числе и обычного трехмерного пространства), на протяжении которых плотность вероятности частиц, плотность и температуру реальных жидкостей или газов можно с достаточной степенью точности считать постоянными. Предполагаем также, что для таких зон можно ввести определенные числа, характеризующие режим движения. [23]
 |
Схема работы установки для напыления диоксида кремния. [24] |
Формообразователь изготовлен из кремниевого сплава и получен методом литья. Применение формообразователя на основе кремния способствует однородности протекания процессов спекания при формовании заготовки из спеченного диоксида кремния. Экранирование формообразователя специальными экранами также способствует однородности процессов спекания при напылении. [25]
Наиболее важным этапом при импульсном газоразрядном возбуждении среды является поджигание разряда. Это связано с тем, что в импульсных разрядах образование неоднородного состояния плазмы возможно не только из-за развития неустойчивости в первоначально однородной проводящей среде. Склонность к созданию неоднородности при пробое растет с ростом давления газа и поэтому для однородного пробоя в разрядах повышенного давления необходимо принимать специальные меры, направленные на обеспечение однородности процессов ионизации во всем разрядном промежутке. [26]
При этом, как и в случае поперечных схем, аппроксимирующие уравнения можно искать непосредственно в виде равенств, аналогичных ( 13), с произвольными коэффициентами, подчиняя выбор последних соответствующим требованиям. Следует, однако, заметить, что в случае продольных многослойных схем при аппроксимации дифференциального уравнения на прямых, близких к граничным, обычно возникают трудности, связанные с нарушением однородности процесса приближения. [27]
При критическом значении скорости нарастания тока в тиристоре ( Л т / 0кр происходит прожигание области эмиттерного перехода, граничащей с управляющим электродом. При малой плотности тока процесс распространения проводящей площади замедляется. Поэтому степень однородности процесса включения зависит от величины тока через тиристор на этапе установления, а также от геометрии управляющего электрода и мощности управляющего импульса. [28]
Субформации лиственничных лесов характеризуются не только величиной ареала каждого вида лиственницы, но и комплексом экологических и топографических условий, обусловливающих их внутреннюю структуру. Способность лиственницы произрастать на самых различных элементах рельефа и формировать типы леса со своим преобладанием требует объединения этих условий в более крупные однородные единицы - геоморфологические комплексы лиственничных лесов. Геоморфологические комплексы являются таксономической единицей как лесорастительных условий, гак и одновременно классификационной единицей типов лиственничных лесов, соответственно равных по рангу и объему. В составе геоморфологического комплекса объединяются типы лиственничных лесов, произрастающие на крупных категориях форм рельефа и характеризующиеся однородностью процессов их формирования. В целом для формации лиственничных лесов Сихотэ-Алиня выделяется 5 геоморфологических комплексов типов леса - высокогорные, горных склонов, горных плато, долин и лиственничных лесов на приморских песках. Последние хотя и занимают ничтожные площади в северной и средней части Сихотэ-Алиня, располагаясь узкой полосой по песчаным дюнам вдоль морского побережья, однако их своеобразные местообитания, связанные с постоянной морской засоленностью почвы и воздействием морских ветров, и особенности строения позволяют выделить такие насаждения в особый геоморфологический комплекс лиственничных лесов. Весьма характерным является и тот факт, что лиственница в подобных условиях формирует коренные типы леса. [29]
Страницы: 1 2