Оже-переход
Cтраница 1
Оже-переход - безызлучателышй переход, при котором энергия, освобождающаяся при внутриатомном переходе одного электрона, расходуется на вырывание из атома другого электрона. [1]
Оже-переходы помечают тремя рентгеновскими термами: первый обозначает первично возбужденное состояние, второй - состояние, с которого переходит электрон для заполнения первичной дырки, и третий - состояние, с которого выбрасывается оже-электрон. Так, для вышеприведенного примера, если X, Y и Z соответственно тождественны К, L и LH, - это переход K. Поскольку в металле могут затрагиваться электронные состояния в валентной зоне, они просто отмечаются буквой V без дополнительного уточнения. [2]
Для обозначения оже-переходов применяют правило: если первичная вакансия находилась в электронном К-слое, ее заполнение произошло нутом перехода электрона из / - слоя, а энергия была передана электрону Л / - слоя, то оже-электрон наз. Переходы с участием электронов валентной зоны обозначают буквой V ( напр. [4]
На рис. 16.4 указана линия электронов KLL оже-перехода атомов углерода. На приведенном спектре видна линейная зависимость уменьшения фона вторичных электронов до некоторого определенного значения. Согласно теории, этот фон состоит из 6-электронов относительно низкой энергии и из электронов, выброшенных в вакуум при соударении иона с электронами в материале. Верхний предел в энергии вторичных электронов определяется теми эмиттируемыми электронами, которые не теряют энергии при движении в приповерхностной области материала. [6]
В результате ионизации / ( - оболочки узловые атомы не очень тяжелых элементов благодаря Оже-переходам приобретают положительный заряд. При этом их потенциальная энергия в кристалле возрастает и они оказываются в активированном состоянии, которое в некоторых случаях может приводить к выходу в междоузлие. [7]
В самом деле, наличие любого процесса, радиационного или безрадиационного ( например, так называемый Оже-переход), приводит к уменьшению времени жизни атома в рассматриваемом состоянии, а значит, к росту ширины соответствующей эмиссионной линии, независимо от ее интенсивности. [8]
А - значение аппаратной функции электронного спектрометра; Л - СДСП оже-электрона; ое - сечение ионизации уровня W электронным ударом; ywxr - вероятность оже-перехода WXY; Rg - коэффициент обратного рассеяния первичных электронов; и - атомная плотность определяемого элемента. Так же как и в зависимости / ( и) для фотоэлектронной линии, в данном уравнении присутствуют фундаментальные физические параметры, точное значение которых по тем или иным причинам получить невозможно. [9]
Интересным фактом является также то, что влияние локального атомного окружения на атомы инертных газов в a - Si проявляется только в Оже-спектрах, где в качестве конечного состояния Оже-перехода выступают две дырки. [10]
 |
Энергетическая схема образования оже-электрона на примере перехода К, L, M. [11] |
Оже-эффект был открыт в 1925 г. Пьером Оже. В результате этого происходит оже-переход с выходом оже-электрона в вакуум, где он регистрируется с помощью электронного спектрометра. [12]
 |
Энергетическая схема образования оже-электрона на примере перехода К, L, М. [13] |
Оже-эффект был открыт в 1925 г. Пьером Оже. В результате этого происходит оже-переход с выходом оже-электрона в вакуум, где он регистрируется с помощью электронного спектрометра. [14]
Для легких элементов ( кроме Н и Не) спектры Оже-электронов достаточно просты, лежат в низкоэнергетической области и легко расшифровываются. Однако одновременно появляются пики, соответствующие Оже-переходам KLM, КММ и другие, которые располагаются в удобной для анализа низкоэнергетической области. [15]
Страницы: 1 2 3