Cтраница 1
Электронная Оже-спектроскопия ( ЭОС) [38, 39] заключается в анализе энергии вторичных электронов ( Оже-электро-нов), которые излучаются, когда происходит релаксация дырок на внутренних оболочках. Первоначальная дырка может быть получена посредством нескольких источников возбуждения, включая рентгеновские лучи или электроны. Оже-переходы не затрагивают валентных электронов и легко идентифицируют атомы. Данные о химических сдвигах более трудны для интерпретации вследствие того, что затрагиваются три энергетических уровня. [1]
Методом электронной оже-спектроскопии установлено [113], что в процессе изнашивания поверхностей инструмента легирующая примесь мигрирует, смещаясь одновременно с поверхностью контакта. Из полученных графиков кинетики изнашивания следует, что повышение стойкости инструмента достигается в основном за счет меньшей интенсивности изнашивания на участке начального износа, которую можно связать с присутствием и миграцией внедренной примеси в его поверхностном слое. [2]
![]() |
Поле над поверхностью.| Блок-схема электронного эмиссионного микроскопа. [3] |
Метод электронной оже-спектроскопии применяется для химического анализа поверхности МЭ и ИМ. [4]
![]() |
Спектр загрязненной поверхности GaAs при электронном возбуждении. [5] |
Метод электронной оже-спектроскопии обеспечивает разрешение по глубине от долей толщины моноатомного слоя до нескольких атомных слоев. [6]
Методом электронной оже-спектроскопии установлено [113], что в процессе изнашивания поверхностей инструмента легирующая примесь мигрирует, смещаясь одновременно с поверхностью контакта. Из полученных графиков кинетики изнашивания следует, что повышение стойкости инструмента достигается в основном за счет меньшей интенсивности изнашивания на участке начального износа, которую можно связать с присутствием и миграцией внедренной примеси в его поверхностном слое. [7]
![]() |
Схематическое изображение электронного спектрометра. [8] |
Для практической реализации метода электронной оже-спектроскопии необходимо электронной пушке обеспечить энергию первичных электронов от 100 до 2500 эВ при возможно меньшем диаметре пучка и с помощью энергетического электронного анализатора - разрешение по энергии, достаточное для выделения токов оже-электронов каждого элемента. Применение конкретного типа анализатора определяется требованиями условий контроля. [9]
Электронную спектроскопию для химического анализа удачно дополняют электронная оже-спектроскопия и метод изучения вещества по характеристическим потерям энергий электронов, прошедших через него. [10]
Среди этих методов, как полагают, наибольшее значение имеет электронная оже-спектроскопия ( ЭОС); объясняется это простотой метода, а главное возможностью использования после незначительной модификации стандартного оборудования для ДМЭ. Существуют и другие факторы, благодаря которым ЭОС является более важным методом анализа поверхности. Добиться высокой разрешающей способности намного легче для электронов, чем для рентгеновских лучей; в последнем случае разрешение ( AEi / / E - отношение ширины линии на половине высоты к энергии) в 1 - 2 %, по-видимому, является тем максимумом, который можно достичь в настоящее время. Система рентгеновской эмиссии значительно сложнее и менее приспособлена для СВВ. [11]
Особое место занимают такие методы анализа поверхностей, как комбинированная фотоэлектронная спектроскопия или электронная оже-спектроскопия. Эти методы позволяют установить распределение элементов в слоях твердых тел, а также проводить градиентный анализ по глубине. [12]
![]() |
Изображение субмикрочастиц MgO на алюминиевой пленке, полученное ПЭМ.| Просвечивающая электронная микроскопия начального гальванического слоя никеля с дисперсными частицами размером 20 нм. [13] |
Для химического анализа поверхностных слоев твердых тел в последние годы нашел применение метод электронной Оже-спектроскопии ( ЭОС) [22, 116], основанный на использовании электронов, фотонов ( Х - лучей) или ионов для возбуждения атомов и удаления электронов с более низких энергетических уровней. [14]
Вероятность ионизации атомов под действием электронного пучка является одной из важнейших характеристик, используемых в электронной оже-спектроскопии. В работе [199] приведены выражения для сечения ионизации оболочек атомов в бор-новском и других приближениях. Из-за малой массы электроны, производящие ионизацию в объеме, рассеиваются на большие углы. [15]