Стабильный окисел - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Прошу послать меня на курсы повышения зарплаты. Законы Мерфи (еще...)

Стабильный окисел

Cтраница 1


Стабильный окисел в первую очередь возникает на активных центрах поверхности, блокируя их по мере убывания теплоты адсорбции гидроксильного радикала. На участках электрода, закрытых нестабильным окислом, скорость РВК лимитируется отрывом первого электрона от воды или иона гидроксила, причем эта часть поверхности соответствует модели равномерной неоднородности, из опыта фактор неоднородности / 10 - 12 при р 0 5; пленка пассивирующего окисла в области 1 5 - 2 0 в не сплошная, а состоит из отдельных молекул или небольших островков, локализованных на активных участках поверхности. По мере роста потенциала островки смыкаются друг с другом и РВК переходит на поверхность этого окисла. Механизм РВК здесь, по-видимому, иной - процесс протекает с участием в лимитирующей стадии активных окислов, которые стабилизированы на электроде из-за высокой энергии связи в координационной сфере комплекса.  [1]

Наиболее обычный стабильный окисел плутония - его двуокись РиО2, изоструктурная с UO2 и ThO2, имеющая кубическую решетку с параметром а 5 396 0 001 А.  [2]

Однако по мере повышения валентности исходного окисла эти возможности уменьшаются, и на поверхности высшего стабильного окисла растворение катиона должно приводить к образованию ячеек нестабильного соединения с аномально высокой для данного потенциала стандартной энергией, либо должно происходить только в тех статистически редких точках, где благодаря подходу катиона из глубины или благодаря кислородному обмену с раствором на короткий момент флуктуативно возникла ячейка низшего окисла. И то, и другое означает резкое уменьшение эффективной скорости анодного растворения поверхностных катионов, которое воспринимается как повышение степени запассивированности электрода.  [3]

Один из них, будучи характерным для области Ф 1.5 в, положительное этого потенциала метастабилен и до завершения монослоя переходит в новый стабильный окисел, так что при ф 2 2 в остается лишь последний.  [4]

Такая трактовка объединяет представления [58] о том, что в области 1 6 - 1 9 в замедленная стадия для РВК в кислоте на платине - разряд воды с представлениями о протекании РВК через активный окисел [11-17] и указывает на область применимости этих механизмов. По завершении образования монослоя стабильного окисла достигается стационарная, не зависящая от потенциала величина заполнения электрода промежуточными частицами РВК, ответственными за псевдоемкость.  [5]

К преимуществам алюминия относятся возможность использования его при повышенных температурах и хорошая смачиваемость. На внутренней стенке капилляра образуется тонкий слой достаточно стабильного окисла.  [6]

7 Скорость наращивания сухого окисла при невысоких температурах.| Окисление при низком давлении кислорода и азота ( Р098 Па. [7]

Однако наращивание окисла при низкой температуре не всегда приводит к улучшению качества окисного слоя. Этот метод, который будет подробнее рассмотрен позже, особенно эффективен для получения стабильного окисла с низкой плотностью поверхностных состояний; однако эффективность метода падает при понижении температуры. При проведении окисления положительное действие оказывает также понижение давления кислорода. Этот процесс окисления подчиняется параболическому закону и получаемый в результате окисный слой достаточно стабилен.  [8]

Молибден термодинамически достаточно устойчивый металл, его равновесный потенциал равен - 0 2 в. Скорость коррозии молибдена при температуре до 100 С в растворах сильных кислот ( неокислительного характера) зависит от концентрации, с увеличением которой скорость коррозии снижается. В этих растворах в отсутствие окислителей или действия анодного тока молибден химически устойчив как при стационарных потенциалах, так и в широкой области потенциалов отрицательнее стационарного значения. В этом случае имеет место так называемое явление перепассивации молибдена, вызываемое окислением стабильного окисла четырехвалентного молибдена до неустойчивого в этих условиях окисла высшей валентности. В области потенциалов устойчивого пассивного состояния молибдена постоянство толщины пленки, наблюдаемое эллипсометрическим методом, можно связать с образованием на его поверхности окисла МоО2 [26], толщина которого при 25 С не превышает 40 - 50 А. Благодаря высокой устойчивости, пленка на молибдене с трудом восстанавливается катодным током. Коэффициент преломления пленки, формирующейся на молибдене как в стационарных условиях, так и при катодной поляризации, находится в пределах значений 4 5 - 5 0; это указывает на то, что состав ее в условиях опыта не изменяется. Металл в этих условиях находится в пассивном состоянии, причем толщина пленки не превышает 50 А. Незначительное увеличение плотности тока ( 5 мка / см2) приводит к скачку потенциала до 0 5 в, что способствует переходу молибдена в транспассивное состояние. Дальнейшее увеличение плотности тока уже постепенно и незначительно сдвигает потенциал в положительную сторону. Защитная пленка на поверхности молибдена при его переходе в транспассивное состояние начинает утолщаться сначала медленно, а с повышением плотности тока ( при 500 мка / см2) значительно.  [9]

Был изготовлен и испытан макет АЭ УЛ-101, в котором один из генераторов был с танталовой, а второй - с молибденовой втулкой толщиной 0 2 мм. Уже при тренировке ( через 20 ч) медь из генератора с молибденовой втулкой вылилась через отверстия ( диаметром 1 мм) и растеклась по ее поверхности, частично перекрыв апертуру канала. При уменьшении диаметра отверстий в молибденовой фольге до 0 4 мм протекание полностью не исчезло. Очевидно, при температуре - 1600 С поверхность молибдена частично очищается от окислов, чем и объясняется появление смачиваемости ее медью. Как видно из табл. 2.1 [182-184], диапазон устойчивости стабильного окисла тантала находится в интервале 1000 - 1890 С. Диапазон устойчивости окислов молибдена ( 500 - 795 С) лежит значительно ниже рабочей температуры канала. Таким образом, практические результаты испытаний АЭ полностью соответствуют литературным данным.  [10]



Страницы:      1