Анодное окисление - кремний
Cтраница 1
 |
Зависимость толщины оксида кремния от времени окисления во влажном кислороде при различном содержании водяного пара. [1] |
Анодное окисление кремния проводят либо в жидком электролите, либо в кислородсодержащей низкотемпературной плазме. [2]
При анодном окислении кремния n - типа в области низких напряжений анодная поляризация кремния определяется в основном барьером на границе кремний - оксид. На первых стадиях вблизи поверхности ускоряющее поле в оксиде невелико. Изменить распределение потенциала для повышения поля можно уменьшив высоту потенциального барьера путем увеличения концентрации неосновных носителей заряда у поверхности раздела, например путем освещения кремниевого анода. [3]
Более современным является анодное окисление кремния, позволяющее формировать диэлектрическую пленку на поверхности кремния почти любой толщины путем выбора режима анодного окисления. В отличие от термического окисления это низкотемпературный процесс, который избавляет от нескольких высокотемпературных обработок, связанных с выполнением термического окисления при формировании масок. [4]
Установлено наличие автоволновых процессов при анодном окислении кремния. [5]
О д ы ii е ц и др., Анодное окисление кремния в чистой воде, Журн. [6]
 |
Катодные кривые заряжения кремния р-типа после анодной поляризации при разных потенциалах.| Катодные кривые заряжения кремния. [7] |
Такой ход кривых заряжения указывает на то, что процесс анодного окисления кремния является необратимым процессом, а образовавшаяся окисная пленка почти не восстанавливается при катодной поляризации. [8]
Кроме описанных методов получения пленки SiC2 на кремнии, применяются и другие: химическое и анодное окисление кремния, кварцевание. [9]
Этиленгликоль и N-метилацетамид чаще всего применяются в качестве органических растворителей для приготовления электролитов при анодном окислении кремния. Кроме них иногда применяют и другие вещества с различными солевыми добавками. Несмотря на то что подбор электролитов осуществляется эмпирически, можно сформулировать ряд общих требований к их компонентам. Во-первых, органический растворитель должен обладать достаточно высокой диэлектрической проницаемостью, что позволяет проводить процесс анодирования при высоких напряжениях без разрушения электролита. Во-вторых, он должен быть достаточно полярным, чтобы обеспечить требуемую растворимость солевых добавок. В-третьих, вводимая в электролит соль не только должна увеличивать электропроводность раствора, но и содержать в своем составе кислород. [10]
Этиленгликоль и N-метилацетамид чаще всего применяются в качестве органических растворителей для приготовления электролитов при анодном окислении кремния. Кроме них иногда применяют и другие вещества с различными солевыми добавками. Во-первых, органический растворитель должен обладать достаточно высокой диэлектрической проницаемостью, что позволяет проводить процесс анодирования при высоких напряжениях без разрушения электролита. Во-вторых, он должен быть достаточно полярным, чтобы обеспечить требуемую растворимость солевых добавок. В-третьих, вводимая в электролит соль не только должна увеличивать электропроводность раствора, но и содержать в своем составе кислород. [11]
Для анализа с большим разрешением по глубине ( 0 01 - 0 04 мкм) был использован метод анодного окисления кремния с последующим снятием слоя SI02 плавиковой кислотой. Оказалось, что при снятии таких слоев разбавленной HF мешающее влияние основы проявляется значительно слабее. [12]
Уравнение (13.6) выведено в предположении полного использования тока. Обычно оптимальные плотности тока при анодном окислении кремния составляют 3 - 15 мА / смг. Достигаемые при этом скорости роста пленки SiO2 в различных электролитах составляют от 30 до 150 А / мин. [13]
Сродство поверхности кремния к кислороду и связанная с этим склонность к формированию тонких оксидных пассивирующих покрытий позволяют при определенных условиях сместить процесс, протекающий на границе кремний-электролит в сторону образования более толстого слоя оксида. На практике невозможно получить анодные окисные пленки толще нескольких тысяч ангстрем. Это обусловлено тем, что предельный потенциал, достигаемый в процессе анодного окисления кремния, определяется электрической прочностью оксида. Кроме того, задаваемая величина тока, определяющая скорость роста оксида, также должна быть ограничена, поскольку в противном случае возможен сильный разогрев электролита, кремниевого анода, что делает процесс неуправляемым и сильно ухудшает качество образующейся пленки. [14]
Сродство поверхности кремния к кислороду и связанная с этим склонность к формированию тонких оксидных пассивирующих покрытий позволяют при определенных условиях сместить процесс, протекающий на границе кремний-электролит в сторону образования более толстого слоя оксида. Это обычно достигается подачей на кремниевый электрод высокого положительного потенциала. На практике невозможно получить анодные окисные пленки толще нескольких тысяч ангстрем. Это обусловлено тем, что предельный потенциал, достигаемый в процессе анодного окисления кремния, определяется электрической прочностью оксида. Кроме того, задаваемая величина тока, определяющая скорость роста оксида, также должна быть ограничена, поскольку в противном случае возможен сильный разогрев электролита, кремниевого анода, что делает процесс неуправляемым и сильно ухудшает качество образующейся пленки. [15]
Страницы: 1