Влажное окисление
Cтраница 1
Влажное окисление при высокой скорости наращивания используется для создания толстых слоев окисла, однако в этом случае нелегко обеспечить высокую чистоту окисного слоя. Для наращивания подзатворного окисла МОП-транзистора ( толщина до 100 нм), когда необходимо обеспечить низкую плотность поверхностных состояний и высокую надежность, применяется сухое окисление кремния. [1]
При влажном окислении Еа принимает значения 0 71 эВ и 1 96 эВ, a d ox почти равна нулю. Тот факт, что температурная зависимость отношения В / А почти одинакова для сухого и влажного окисления, показывает, что в обоих этих случаях реакции на границе раздела почти идентичны. [2]
Ошима, Фукуда и Ишимура [314] исследовали активацию влажным окислением таких содержащих углерод веществ, как сажа, обугленный сахар и уголь из шерстяных изделий. [3]
При исследовании по ИК поглощению [221, 220] встраивания в окисел при влажном окислении ( Рн о 60 тор) связей Si - Н и Si-ОН было показано, что группы Si-ОН распределены по окислу равномерно с концентрацией 1019 см-3, причем на границе Si - SiO2 их число уменьшается. [4]
Наилучшими методами определения небольших количеств ионов тяжелых металлов в исследуемых пробах подкомитет считает: для меди и свинца - из сухой золы; для мышьяка и кадмия - влажным окислением серной кислотой. [5]
Показанный случай соответствует подложке со срезом ( 111) и не очень высокой концентрацией примеси. В процессе влажного окисления при 95 С и давлении 8 5 - 104 Па пузырьки воды обычно пропускаются вместе с газом - носителем. [6]
 |
Принципиальная схема установки для непрерывного определения Са и Mg методом атомно-абсорбционной спектре-фотометрии без предварительного диализа. [7] |
Вначале вручную проводится влажное окисление пробы перманганатом калия и азотной кислотой, остальные процедуры выполняются автоматически. Для автоматической обработки и транспорта используется Автоанализатор. Схема установки показана на рис. 4.7. Пробы обрабатываются со скоростью 30 проб в час. Пары ртути возбуждаются в кювете длиной 150 мм и диаметром 6 мм. В кювету проба подается потоком воздуха через устройство для удаления пузырьков. [8]
Японии и США, в последние годы получает все большее распространение окисление адсорбированных соединений непосредственно в водной пульпе угля. Этот процесс, так называемое влажное окисление [33] осуществляют под давлением, достаточным для того, чтобы необходимая температура процесса была достигнута без испарения воды. [9]
При влажном окислении Еа принимает значения 0 71 эВ и 1 96 эВ, a d ox почти равна нулю. Тот факт, что температурная зависимость отношения В / А почти одинакова для сухого и влажного окисления, показывает, что в обоих этих случаях реакции на границе раздела почти идентичны. [10]
Согласно рассмотренной выше теории, повышение давления окислительного газа приводит к ускорению окисления. В методе влажного окисления газы Н2 и 02 подводятся в реакционную камеру с помощью кварцевых труб. Водород Н2 сжигается и образуется водяной пар под давлением ( 5 - - 10) 105 Па. Необходимость работы с высоким давлением приводит к повышению стоимости оборудования однако все же в последние годы этот метод стал применяться на практике. По сравнению с обычной температурой окисление при температуре 800 - 1000 С и давлении 5 - Ю5 Па повышает скорость процесса наращивания окисла примерно в 5 раз. При низкой температуре и малой длительности окисления может быть получен окисный слой с улучшенным качеством, поскольку уменьшается генерация дефектов упаковки в процессе окисления ( см. разд. Именно поэтому в быстродействующих биполярных ИС и динамических МОП ЗУ стали использоваться толстые полевые окисные слои. [11]
Важной проблемой окисления является обеспечение однородности оксида. В зависимости от качества поверхности пластины, от чистоты участвующих в окислении реагентов и режима окисления возникают те или иные дефекты. Качество пленки SiOj обычно повышается с уменьшением температуры окисления и при использовании сухого кислорода. Поэтому при получении толстых пленок окисление проводят в сухом и влажном кислороде последовательно: окисление в атмосфере сухого кислорода снижает количество дефектов в пленке, влажное окисление ( в парах воды) позволяет сократить общее время процесса окисления. [12]
Страницы: 1