Cтраница 1
![]() |
Энергетические уровни для [ IMAGE ] - 5. Энергетические уровни для. [1] |
Заброс электронов в зону проводимости соответствует рождению пары электрон - дырка, описанному выше. [2]
При рекомбинации электронно-дырочных пар заброс электрона из валентной зоны в зону проводимости представляется маловероятным, поскольку освобождающаяся энергия меньше ширины запрещенной зоны. [4]
![]() |
Энергетические спектры примесных пол vii ро пол i. 11 ков. [5] |
Рассмотренные полупроводники, в которых заброс электронов через запретную зону связан только с тепловым возбуждением собственных атомов тела, называются собственными полупроводниками. [6]
Поглощение фотонов, приводящее к забросу электронов из валентной зоны в зону проводимости; в Ge минимум энергии для таких переходов будет при k 0, поэтому переходы такого вида называются прямыми. [7]
![]() |
Распределение электронов в валентной зоне и зоне проводимости собственного полупроводника. [8] |
К ковалентные связи могут разрываться за счет так называемых тепловых забросов электронов в зону проводимости, и сопротивление германия падает. [9]
![]() |
Резонансный механизм ( а и механизм переноса заряда ( б сенсибилизации полупроводника красителем. [10] |
По первому механизму поглощение фотона в молекуле адсорбированного красителя вызывает заброс электрона на возбужденный уровень, который лежит не ниже дна зоны проводимости полупроводника. Затем электрон попадает в зону проводимости полупроводника, что приводит к возникновению фототока. [11]
Канал аъ - это обычная зонная проводимость в полупроводниках с мелкими примесями, которая обусловлена тепловым забросом электронов с примесных уровней в зону проводимости и их делокализа-цией. [12]
У большинства известных нам полупроводников при температуре Т вступает в силу собственная проводимость и дальше электропроводность обусловливается забросом электронов из заполненной зоны в свободную. [13]
![]() |
Энергетические спектры примесных пол vii ро пол i. 11 ков. [14] |
Если запретная зона у данного веше-стза мала, то: ш определенном повышении температурь: в нем происходят забросы электронов через запретную зону из заполненной в вышележащую свободную зону. [15]