Заброс - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Закон администратора: в любой организации найдется человек, который знает, что нужно делать. Этот человек должен быть уволен. Законы Мерфи (еще...)

Заброс - электрон

Cтраница 1


1 Энергетические уровни для [ IMAGE ] - 5. Энергетические уровни для. [1]

Заброс электронов в зону проводимости соответствует рождению пары электрон - дырка, описанному выше.  [2]

3 Возможные механизмы рекомбинации Оже. а - рекомбинация электрона и дырки ( / - 4 и захват носителей дефектами ( 5 - 8. б - переходы электрона, воспринявшего энергию электронно-дырочной пары или захваченных носителей. [3]

При рекомбинации электронно-дырочных пар заброс электрона из валентной зоны в зону проводимости представляется маловероятным, поскольку освобождающаяся энергия меньше ширины запрещенной зоны.  [4]

5 Энергетические спектры примесных пол vii ро пол i. 11 ков. [5]

Рассмотренные полупроводники, в которых заброс электронов через запретную зону связан только с тепловым возбуждением собственных атомов тела, называются собственными полупроводниками.  [6]

Поглощение фотонов, приводящее к забросу электронов из валентной зоны в зону проводимости; в Ge минимум энергии для таких переходов будет при k 0, поэтому переходы такого вида называются прямыми.  [7]

8 Распределение электронов в валентной зоне и зоне проводимости собственного полупроводника. [8]

К ковалентные связи могут разрываться за счет так называемых тепловых забросов электронов в зону проводимости, и сопротивление германия падает.  [9]

10 Резонансный механизм ( а и механизм переноса заряда ( б сенсибилизации полупроводника красителем. [10]

По первому механизму поглощение фотона в молекуле адсорбированного красителя вызывает заброс электрона на возбужденный уровень, который лежит не ниже дна зоны проводимости полупроводника. Затем электрон попадает в зону проводимости полупроводника, что приводит к возникновению фототока.  [11]

Канал аъ - это обычная зонная проводимость в полупроводниках с мелкими примесями, которая обусловлена тепловым забросом электронов с примесных уровней в зону проводимости и их делокализа-цией.  [12]

У большинства известных нам полупроводников при температуре Т вступает в силу собственная проводимость и дальше электропроводность обусловливается забросом электронов из заполненной зоны в свободную.  [13]

14 Энергетические спектры примесных пол vii ро пол i. 11 ков. [14]

Если запретная зона у данного веше-стза мала, то: ш определенном повышении температурь: в нем происходят забросы электронов через запретную зону из заполненной в вышележащую свободную зону.  [15]



Страницы:      1    2    3