Окончание - процесс - кристаллизация
Cтраница 3
Массу и состав входящего в АТБ раствора обычно определяют по-работе предыдущих стадий. Две переменные могут быть выбраны произвольно. В качестве таких переменных целесообразно выбрать температуру окончания процесса кристаллизации при разделении суспензии - / 1 и некоторую величину, характеризующую глубину процесса кристаллизации, - индекс по калию в маточном растворе Ki или степень достижения границы поля кристаллизации тц. Введение переменной t ] i позволяет сразу проверить ограничения, налагаемые достижением границ полей кристаллизации ( см. гл. [31]
 |
Изменение температуры смеси пропан - вода с содержанием 35 г / л NaCl в процессе образования кристаллогидратов. [32] |
Участок графика АВ характеризует необходимое охлаждение смеси для начала кристаллизации. Точка В соответствует началу образования кристаллогидратов, которое сопровождается выделением тепла и поэтому температу - ра смеси повышается. В точ - ке С повышение температуры прекращается, что свидетельствует об окончании процесса кристаллизации. Участок CD характерен для равновесного состояния системы. [33]
После этого закрывают тигель огнеупорной крышкой или слоем асбеста и выключают печь для охлаждения сплава. Если такое охлаждение оказывается слишком ускоренным, его можно замедлить, не включая печь, а лишь уменьшив силу тока. С момента начала охлаждения записывают показания милливольтметра через каждые 30 и 60 с, вплоть до окончания процесса кристаллизации и охлаждения в течение 2 - 3 мин уже полностью затвердевшего сплава. [34]
На кривой 2 - кривой охлаждения сплава серебра с медью ( 30 % серебра и 70 % меди) - - обнаруживаются два перегиба. Первый перегиб при температуре 950 соответствует началу выделения из сплава кристаллического серебра. При этой температуре из расплава начинает выделяться смесь кристаллов серебра и меди ( эвтектика); температура остается постоянной до окончания процесса кристаллизации. Эти вещества образуют между собой твердые растворы. Кривая 4 представляет кривую охлаждения железа. При температуре 1539е происходит кристаллизация железа, и это сопровождается остановкой на кривой охлаждения. При дальнейшем охлаждении происходят переходы одной аллотропической формы железа в другую. Форма 8 при 1401 переходит в форму т, которая при 898 превращается в форму; ; при 768 форма [ 3 переходит в форму а. Каждому из этих превращений соответствует остановка на кривой охлаждения. [35]
Усредненный раствор из реактора самотеком поступает в промежуточный бак 5, откуда центробежным насосом 6, его подают в фильтрпресс 7 для отделения нерастворимых примесей. Прозрачный раствор направляют в кристаллизатор 8 на кристаллизацию. При охлаждении и перемешивании из него выделяются кристаллы тиосульфата натрия. По окончании процесса кристаллизации суспензию ( кристаллы и маточный раствор) спускают в центрифугу 9 для отделения кристаллов. Маточный раствор из центрифуги самотеком стекает в сборник маточного раствора 10, откуда центробежным насосом) / подается в напорный бак / для использования в новой операции варки тиосульфата натрия. Кристаллы из центрифуги выгружают в бочки и упаковывают для отправки потребителям. [36]
Усредненный раствор из реактора самотеком поступает в промежуточный бак 5, откуда центробежным насосом 6, его подают в фильтрпресс 7 для отделения нерастворимых примесей. Прозрачный раствор направляют в кристаллизатор 8 на кристаллизацию. При охлаждении и перемешивании из него выделяются кристаллы тиосульфата натрия. По окончании процесса кристаллизации суспензию ( кристаллы и маточный раствор) спускают в центрифугу 9 для отделения кристаллов. Маточный раствор из центрифуги самотеком стекает в сборник маточного раствора 10, откуда центробежным насосом / / подается в напорный бак 1 для использования в новой операции варки тиосульфата натрия. Кристаллы из центрифуги выгружают в бочки и упаковывают для отправки потребителям. [37]
Высушенный тетрил поступает в аппарат-растворитель, где растворяется в ацетоне. Раствор продавливается через фильтр-пресс, после чего направля. По окончании процесса кристаллизации содержимое кристаллизатора поступает в вакуум-воронку, а после отсасывания растворителя и промывки на воронке спиртом тетрил поступает на сушку. Отработанный ацетон собирается в хранитель, из которого поступает через мерник в дестилляционный аппарат для отгонки чистого ацетона. [38]
В последний период испарения в осадок наряду с двойной солью D выпадает твердая соль В. Фигуративная точка системы движется по отрезку а7аэ луча испарения, состав жидкой фазы изображается точкой F, а состав твердой фазы ( например, точка с8) определяется как место пересечения связующей прямой, проведенной из точки жидкой фазы F через точку системы а8, с прямой, проведенной из точки D параллельно оси соли В. Эв-тоническая точка F характеризует окончание процесса кристаллизации. [39]
Участок диаграммы состояния жидкое - твердое для составов твердых растворов х 0.65, используемых в СЭ, приведен на рис. 3.19. Выращивание слоя Al Ga As ( о 0.7 - 0.9) осуществляется обычно из тонкого ( 0.5 - 1.0 мм) слоя расплава Ga Al As при температурах начала эпитаксиального роста ( Тй) менее 900 С. При TS85Q - 900 С и охлаждении до комнатной температуры кристаллизуются слои толщиной порядка 10 мкм. Снижение толщины слоя, необходимое для расширения спектра фотоответа в коротковолновую область, достигается путем уменьшения Та и толщины расплава вследствие уменьшения количества мышьяка, растворенного в расплаве. При повышенных рабочих температурах тонкие слои твердого раствора получаются либо уменьшением толщины расплава до - 0.1 мм [71], либо ограничением интервала охлаждения и удалением расплава с поверхности слоя по окончании процесса кристаллизации. [40]
Кристаллизаторы первого типа описаны ранее в гл. Процесс кристаллизации производится следующим образом. Исходный расплав заливают в трубное пространство кристаллизатора, а в межтрубное подается охлаждающий агент. После окончания процесса кристаллизации днище аппарата открывается или весь аппарат переворачивается так, что кристаллизат выгружается из труб. Для отделения кристаллов, осевших на поверхностях труб, в межтрубное пространство подается теплоноситель, который несколько подплавляет осевшие кристаллы, способствуя их выгрузке из труб. [41]
Участок / кривой а дает ход монотонного понижения температуры жидкости вследствие отвода тепла от нее. Горизонтальный участок 2 показывает, что при определенном значении температуры ее понижение прекращается, несмотря на то, что отвод тепла продолжается. Температура, соответствующая участку 2, это и есть температур а кристаллизации. Выделяющееся при кристаллизации тепло компенсирует отвод тепла от вещества и поэтому понижение температуры временно прекращается. После окончания процесса кристаллизации температура, теперь уже твердого тела, вновь начинает понижаться. [42]
 |
Кристаллизатор с водяным охлаждением, с мешалкой и змеевиком. [43] |
В кристаллизаторе подобного типа процесс можно вести периодически и непрерывно. В первом случае процесс ведется следующим образом: после заливки раствора в аппарат через змеевик пропускают воду. Одновременно с этим включается мешалка. Вода отбирает от раствора часть тепла. Раствор становится пересыщенным, и из него выпадают кристаллы. После окончания процесса кристаллизации раствор вместе с взвешенными кристаллами спускается из аппарата через штуцер 4, имеющий клапан. Кристаллы отделяются от маточного раствора фильтрацией или центрифугированием. [44]
Основным условием для мокрого гранулирования является безударный ввод струй расплава серы в воду, в противном случае капли серы, попадая на поверхность воды, разбрызгиваются и мгновенно застывают в виде пленки, перекрывая доступ к воде следующим каплям. При безударном ( мягком) вводе струй расплава серы в слой воды они дробятся на капли, которые приобретают форму шара. Капля расплава, переохлаждается в воде до температуры начала кристаллизации в поверхностном слое. В дальнейшем фронт кристаллизации движется в глубь капли со скоростью, определяемой линейной скоростью роста кристаллов и отводом тепла от межфазной границы. В центре гранулы при этом из-за разности плотностей расплава и кристаллической фазы возникает усадочная раковина. По окончании процесса кристаллизации происходит доохлаждение гранулы. [45]
Страницы: 1 2 3 4