Cтраница 5
Блок-схема установки для измерения т н 3.| Кривые напряжения в точечном контакте ( t / i - напряжение при прохождении инжектирующего импульса. Uz - напряжение измерительного импульса. [61] |
По окончании действия инжектирующего импульса число н.н.з. уменьшается вследствие рекомбинации, поэтому сопротивление контакта начинает возвращаться к исходной величине, повышаясь с увеличением времени. Напряжение на образце в момент начала второго ( измерительного) импульса определяется концентрацией н.н.з., сохранившихся в образце. В этих условиях падение напряжения на образце в начале измерительного импульса 1 / 2 есть функция интервала t между импульсами. [62]
По окончании действия входного импульса потенциал базы транзистора Т падает до нуля, поскольку база подключается к земле через внутреннее сопротивление генератора входных сигналов, и транзистор переключается в состояние насыщения. При этом часть тока нагрузки ответвляется в цепь управления тиристора ТТ, обеспечивая его отпирание. Если выполняется условие (7.21), то тиристор ЗТ запирается, на нагрузке формируется срез выходного импульса, и схема возвращается в исходное состояние. Диод Д должен иметь обратное напряжение [ / Обр. [63]