Окраска - кристалл
Cтраница 4
Возникшие узлы с нарушенными электрическими свойствами становятся способными поглощать и рассеивать длинноволновое излучение и тем самым приводят к изменению окраски кристалла. При прохождении жестких у-излучений энергия, поглощенная кристаллом и затрачиваемая на возбуждение его атомов, в некоторых телах способна сразу же излучаться обратно в виде кратковременной вспышки света - сцинтилляции. II, § 28), становится свободным и снижает тем самым электрическое сопротивление. [46]
Возникшие узлы с нарушенными электрическими свойствами становятся способными поглощать и рассеивать длинноволновое излучение и тем самым приводят к изменению окраски кристалла. При прохождении жестких у-излучений энергия, поглощенная кристаллом и затрачиваемая на возбуждение его атомов, в некоторых телах способна сразу же излучаться обратно в виде кратковременной вспышки света - сцинтилляции. II, § 28), становится свободным и снижает тем самым электрическое сопротивление. [47]
Последнее обстоятельство объясняет многие особенности свойств индиго ( вы-ххжая температура плавления, малая растворимость, пониженная химическая активность), а также различие окраски кристаллов, паров и растворов индиго. [48]
 |
К определению скорости роста алмаза методом меток для кристаллов размером 1 2 ( а. 0 7 ( б и 0 35 - Ю 4 м ( в, синтезированных при длительном режиме 12 - 102 с. [49] |
Известно, что захват неструктурных примесей в алмазах осуществляется главным образом пирамидами роста граней 100, а интенсивность его возрастает при понижении температуры кристаллизации, что обусловливают изменение окраски кристалла, которая может быть зафиксирована визуально. При введении многократных возмущений образуется система полос ( зон), каждой из которых можно поставить в соответствие время, фиксируемое в момент изменения температурных условий. [50]
При тепловом, оптическом или другом возбуждении электрон переходит на более удаленную от вакансии орбиту; при обратном переходе происходит излучение кванта света, что и проявляется в окраске кристалла. [51]
Были определены значения плотности дислокаций по ямкам травления, равномерность распределения дислокационных ямок травления ( плотности дислокаций) по поперечному сечению кристалла ( см. таблицу), форма ямок травления, наличие малоугловых границ, включений и трещин, а также окраска кристаллов. [52]
Если нагревать кристалл галогенида щелочного металла в присутствии паров щелочного металла, а затем быстро охладить, кристалл становится окрашенным. Окраска кристалла обусловлена единственной узкой и интенсивной полосой поглощения, которая называется F-полосой. В спектрах электронного парамагнитного резонанса окрашенным центрам соответствуют широкие полосы поглощения, расположенные в области чисто спиновых значений - фактора. Широкие полосы в свою очередь состоят из серии перекрывающихся сверхтонких линий, обусловленных взаимодействием электрона с ядрами катионов и анионов. [53]
Еще одним доказательством того, что наиболее высокотемпературный пик обусловлен F-центрами, является следующий экспериментальный факт. Окраска кристалла полностью исчезает лишь при высвечивании указанного пика, тогда как при исчезновении низкотемпературных пиков окраска кристалла, характерная для F-центров, сохраняется. [54]
Страницы: 1 2 3 4